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nonpolar substrateとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 非極性基板
「nonpolar substrate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
A support substrate 13 has a semipolar or nonpolar primary surface 13a.例文帳に追加
支持基体13は、半極性または無極性の主面13aを有する。 - 特許庁
To provide a nonpolar substrate that can be made large in area, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonpolar substrate that can be made larger in area, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing a group III nitride film includes a process of growing a nonpolar group III nitride film on a growth surface of the substrate, wherein the growth surface of the substrate is not nonpolar and a flat mirror surface is formed on an upper surface of the nonpolar group III nitride film.例文帳に追加
III 族窒化膜を製造する方法であって、基板の成長面上に無極性III 族窒化膜を成長させる工程を含み、前記基板の前記成長面は無極性ではなく、前記無極性III 族窒化膜の上面には平坦な鏡面を形成する。 - 特許庁
The substrate 2 consists of GaN single crystal, and a main face 2b of the substrate 2 is configured with an m-face which is a nonpolar face.例文帳に追加
基板2は、GaN単結晶からなり、基板2の主面2bは、無極性面であるm面で構成されている。 - 特許庁
The substrate 2 is composed of GaN single crystal and the major surface of the substrate 2 consists of a nonpolar m-surface.例文帳に追加
基板2は、GaN単結晶からなり、基板2の主面は、無極性面であるm面で構成されている。 - 特許庁
The substrate 2 is composed of GaN single crystal and the major surface of the substrate 2 consists of a nonpolar m-surface.例文帳に追加
基板2は、GaNの単結晶からなり、基板2の主面は、無極性面であるm面で構成されている。 - 特許庁
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「nonpolar substrate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
The hydrophobizing treatment of the substrate is executed by using the surface treatment liquid containing a silylation agent and a hydrocarbon-based nonpolar solvent.例文帳に追加
シリル化剤と、炭化水素系非極性溶剤とを含有する表面処理液を用いて、基板の疎水化処理を行う。 - 特許庁
A semiconductor laser diode 70 has a p-type semiconductor layer 12 grown on a principal surface of a substrate 1 having a nonpolar surface as the principal surface.例文帳に追加
半導体レーザダイオード70において、非極性面を主面とする基板1の主面にp型半導体層12を成長させる。 - 特許庁
An underlayer 2A comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加
非極性面III族窒化物からなる下地膜2Aを基板1上に気相成長法により形成する。 - 特許庁
To obtain an adhesive composition excellent in adhesive force to a nonpolar substrate especially to cycloolefin resin.例文帳に追加
本発明は、非極性基材とくに環状オレフィン樹脂に対する接着力に優れる接着剤組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a GaN semiconductor substrate by which a good quality nonpolar face GaN crystal can be formed.例文帳に追加
良好な品質の無極性面GaN結晶を生成できるGaN半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a self-supporting substrate comprising a single crystal of a nonpolar group-III nitride of good quality at a high productivity.例文帳に追加
品質の良い非極性面III族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。 - 特許庁
An underlayer 2 comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加
非極性面III族窒化物からなる下地膜2を基板1上に気相成長法により形成する。 - 特許庁
To provide a substrate capable of obtaining a group III nitride semiconductor layer having good crystallinity grown on a nonpolar plane.例文帳に追加
結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。 - 特許庁
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