「nonpolar substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The substrate 2 is composed of GaN single crystal and the major surface of the substrate 2 consists of a nonpolar m-surface.例文帳に追加

基板２は、ＧａＮ単結晶からなり、基板２の主面は、無極性面であるｍ面で構成されている。 - 特許庁

The substrate 2 is composed of GaN single crystal and the major surface of the substrate 2 consists of a nonpolar m-surface.例文帳に追加

基板２は、ＧａＮの単結晶からなり、基板２の主面は、無極性面であるｍ面で構成されている。 - 特許庁

The hydrophobizing treatment of the substrate is executed by using the surface treatment liquid containing a silylation agent and a hydrocarbon-based nonpolar solvent.例文帳に追加

シリル化剤と、炭化水素系非極性溶剤とを含有する表面処理液を用いて、基板の疎水化処理を行う。 - 特許庁

A semiconductor laser diode 70 has a p-type semiconductor layer 12 grown on a principal surface of a substrate 1 having a nonpolar surface as the principal surface.例文帳に追加

半導体レーザダイオード７０において、非極性面を主面とする基板１の主面にｐ型半導体層１２を成長させる。 - 特許庁

An underlayer 2A comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２Ａを基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

To obtain an adhesive composition excellent in adhesive force to a nonpolar substrate especially to cycloolefin resin.例文帳に追加

本発明は、非極性基材とくに環状オレフィン樹脂に対する接着力に優れる接着剤組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaN semiconductor substrate by which a good quality nonpolar face GaN crystal can be formed.例文帳に追加

良好な品質の無極性面ＧａＮ結晶を生成できるＧａＮ半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a self-supporting substrate comprising a single crystal of a nonpolar group-III nitride of good quality at a high productivity.例文帳に追加

品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。 - 特許庁

An underlayer 2 comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a substrate capable of obtaining a group III nitride semiconductor layer having good crystallinity grown on a nonpolar plane.例文帳に追加

結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor growth substrate such that a (11-22) plane of sapphire is semipolar not to be influenced by a piezoelectric field as well as a nonpolar plane and thereby while a light emitting element is suitably formed, defects in crystal growth on A, M and R nonpolar planes can be solved.例文帳に追加

サファイアの（１１−２２）面が半極性となって、無極性面と同様ピエゾ電界の受けず、発光素子を形成するに適当であるだけでなく、Ａ，Ｍ及びＲ無極性面上の結晶成長の欠点を解決できる窒化物半導体成長基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device to emit high-output electromagnetic radiation based on a nonpolar gallium-containing substrate or semipolar gallium-containing substrate such as GaN, AlN, InN, InGaN, A1GaN, and AlInGaN.例文帳に追加

無極性ガリウム含有基板または半極性ガリウム含有基板（例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、Ａ１ＧａＮ、およびＡｌＩｎＧａＮ）を用いた、高出力で電磁放射を出射するための方法および素子を提供する。 - 特許庁

A transparent polar liquid 30 and a nonpolar liquid 40 are sealed into a space between a cell electrode substrate 10 having a water repellent film 13 and a counter electrode substrate 20 in a state where both liquid are kept separated form each other.例文帳に追加

撥水膜１３を有するセル電極基板１０と対向電極基板２０との間に、透明な極性液体３０および不透明な無極性液体４０が互いに分離された状態を保ち封入されている。 - 特許庁

A laser unit 2 is constituted through epitaxial growth of a group III nitride semiconductor on a substrate 1 whose major surface is m face, a nonpolar surface.例文帳に追加

レーザユニット２は、非極性面であるｍ面を主面とする基板１上にIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させて構成されている。 - 特許庁

To provide a technique advantageous for making semiconductor device side surfaces fixed in form in a method of manufacturing semiconductor devices by breaking a substrate having a crystal structure such that a nonpolar or semipolar plane is made a principal surface.例文帳に追加

非極性面または半極性面を主面とする結晶構造を有する基板をブレーキングして半導体素子を製造する方法において、該半導体素子の側面の形状を一定にするため有利な技術を提供する。 - 特許庁

After a metal layer 17 containing nickel and a metal layer 19 containing gold are laminated sequentially on an oxide 15 of a nonpolar main surface 13a of a semiconductor region 13, heat treatment for a substrate product P2 is carried out.例文帳に追加

半導体領域１３の非極性主面１３ａの酸化物１５上にニッケルを含む金属層１７及び金を含む金属層１９を順に堆積した後に、基板生産物Ｐ２の熱処理を行う。 - 特許庁

This silicone and water-based coating material 32 is applied on a nonpolar rubber substrate 30, comprises a silicone resin, a silicone oil and a surfactant as essential components and contains water as a dispersion medium.例文帳に追加

非極性ゴム基材３０に適用し、シリコーンレジン、シリコーンオイル及び界面活性剤を必須成分とし水を分散媒とするシリコーン水系塗料３２。 - 特許庁

OPTOELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURE GROWN ON NONPOLAR GROUP-III NITRIDE TEMPLATE OR SUBSTRATE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

非極性ＩＩＩ族窒化物テンプレートまたは基板上に成長される発光デバイス構造からなるオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイスの作製方法 - 特許庁

A 4 H-InGaAlN alloy light emitting element and an electronic element on a nonpolar face are formed on 4H-AlN or 4H-AlGaN on a (11-20)a face 4H-SiC substrate.例文帳に追加

無極性面上の４Ｈ−ＩｎＧａＡｌＮ合金系発光素子および電子素子を、（１１−２０）ａ面４Ｈ−ＳｉＣ基板上の４Ｈ−ＡｌＮまたは４Ｈ−ＡｌＧａＮ上に形成する。 - 特許庁

A group-III nitride semiconductor layer 2 is formed on a GaN single-crystal substrate 1 with a nonpolar surface or a semi-polar surface (for example, an m surface) as a main surface.例文帳に追加

非極性面または半極性面（たとえばｍ面）を主面とするＧａＮ単結晶基板１上にIII族窒化物半導体層２が形成されている。 - 特許庁

The method of optically splitting substrates containing an optical isomer is designed to perform a reaction of a substrate containing the optical isomer by an enzyme in a nonpolar solvent under microwave irradiation.例文帳に追加

本発明は、光学異性体を含む基質の光学分割方法であって、マイクロ波照射下において、非極性溶媒中での酵素による上記光学異性体を含む基質の反応を行うことを特徴とする光学分割方法である。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing a nitride semiconductor substrate having a nonpolar plane as the main surface thereof while suppressing polycrystalline growth.例文帳に追加

多結晶成長を抑制し、効率よく非極性面を主表面とする窒化物半導体基板を製造可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a semiconductor light-emitting element is manufactured by using the GaN substrate 30, a high light-emitting efficiency is achieved by avoiding an influence of piezoelectric field because these m plane and a plane are nonpolar planes.例文帳に追加

これらのｍ面及びａ面は非極性面であるため、このＧａＮ基板３０を用いて半導体発光素子を作製した場合には、ピエゾ電界の影響を回避して高い発光効率を実現することができる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device which allows a surface of a substrate to be effectively used and has the characteristics of a polar surface and a nonpolar surface.例文帳に追加

基板の表面を有効に利用すると共に、極性面及び非極性面の両特性を兼ね備える窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A growth principal surface 25 of a p-type GaN contact layer 19 in the p-type semiconductor layer 12, the principal surface being exposed from an insulating layer 6, is a nonpolar surface parallel to the principal surface of the substrate 1.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２におけるｐ型ＧａＮコンタクト層１９の、絶縁層６から露出する成長主面２５は、基板１の主面に平行な非極性面である。 - 特許庁

The circuit board includes: a substrate; a polar molecular layer pattern and a nonpolar molecular layer pattern, each being arranged on the substrate; a first electrode and a second electrode, each being arranged on the substrate; and at least one channel arranged on the polar molecular layer pattern, for including linear nanostructures.例文帳に追加

回路基板は、基板と、基板に配置された極性分子層パターンおよび非極性分子層パターンと、基板に配置された第１の電極および第２の電極と、極性分子層パターンに配置され、線状ナノ構造物を含む１つ以上のチャネルとを含む。 - 特許庁

A channel layer 4 is grown from a principal surface of a substrate 2 having a nonpolar surface as the principal surface and an electron confinement layer 5 is further grown on the channel layer 4 to form a nitride semiconductor stack structure portion 3 on one surface side of the substrate 2.例文帳に追加

非極性面を主面とする基板２の主面からチャネル層４を成長させ、このチャネル層４上にさらに電子閉じ込め層５を成長させることによって、基板２の一方側に窒化物半導体積層構造部３を形成する。 - 特許庁

To provide: a laminated substrate that can suppress the manufacturing cost of a substrate having a nonpolar plane or semipolar plane of GaN single crystal on a surface, and actualizes a light-emitting element provided with a nitride-based compound semiconductor layer on a transparent conductive substrate such as a ZnO substrate and a β-Ga_2O_3 substrate; a method of manufacturing the laminated substrate; and a light-emitting element.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶の非極性面または半極性面を表面に有する基板の製造コストを抑えることができ、且つ、ＺｎＯ基板やβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板といった透明導電性基板の上に窒化物系化合物半導体層が設けられた発光素子を実現できる貼り合わせ基板、貼り合わせ基板の製造方法、及び発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an active energy ray curable composition having a good adhesion (contact) to a nonpolar substrate such as of polyolefin and metal, good physical properties such like pigment dispersion, prevention from color separation and rubbing.例文帳に追加

ポリオレフインや金属等の非極性の基材に対しても優れた接着性（密着性）を有し、かつ顔料分散性、色別れ防止性並びにラビング性等の物性の良好な活性エネルギー線硬化型塗料組成物を提供すること。 - 特許庁

A method for refining electrophoresis particles is characterized in that only electrodeposited particles are collected after two electrode substrates are dipped in fluid dispersions prepared by dispersing particles having electrophoretic property in a nonpolar solvent and a DC voltage is applied between their electrodes to electrodeposit the particles on one electrode substrate.例文帳に追加

電気泳動性を有する粒子を非極性溶媒に分散させた粒子分散液に２つの電極基板を浸漬し、これら電極間に直流電圧を印加して一方の電極基板に該粒子を電着させた後、電着した粒子のみを回収することを特徴とする電気泳動粒子の精製方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting element reducing the resistance of a p-type nitride semiconductor layer without degrading the light emission intensity of an active layer in a nitride semiconductor laminate grown on a nonpolar nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

無極性窒化物半導体基板上に成長された窒化物半導体積層体において、活性層の発光強度が劣化することなく、ｐ型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes a substrate 2 and an active layer 12 which has a nonpolar or semi-polar surface as a growth principal surface 12a and is made of a group III nitride semiconductor, and has a light emission portion 3 which emits polarized light from the active layer 12, and side end surfaces 1a are mirror planes.例文帳に追加

基板２と、非極性面又は半極性面を成長主面１２ａとするIII族窒化物半導体からなる活性層１２を有し、活性層１２から偏向光を発生する発光部３とを備え、横端面１ａが鏡面である半導体発光素子。 - 特許庁

An upper substrate 18 formed with an upper electrode 17 is arranged further to be opposed to the lower electrode 12, and a polar liquid 16 and a nonpolar liquid 15 held under a state separated each other are sealed between the hydrophobic insulating film 13 and the upper electrode 17.例文帳に追加

さらに、下部電極１２と対向するように、上部電極１７が形成された上部基板１８を配置すると共に、疎水性絶縁膜１３と上部電極１７との間に、互いに分離された状態を保つ極性液体１６および無極性液体１５を封入する。 - 特許庁

To provide a transparent solid composition having transparency making the appearance beautiful even when formulating an ultraviolet light absorbent which is an ingredient which is slightly soluble in a nonpolar oil, having good feelings upon use and excellent in stability with time and to provide a transparent solid cosmetic containing the composition as a substrate.例文帳に追加

非極性油分に難溶性な成分である紫外線吸収剤を配合しても外観の美しい透明性を有し、使用感が良好であり、経時安定性に優れた透明性固形組成物およびそれを基剤として含有する透明固形化粧料を提供する。 - 特許庁

The apparatus for treating substrates 1 showers a dry medium with a surfactant mixed in nonpolar liquid, on a substrate W disposed in a treating chamber 20, then dips the substrate W in the dry medium by retraining the dry medium in the treating chamber 20, and dries the substrate by discharging the dry medium from the treating chamber 20.例文帳に追加

基板処理装置１は、処理槽２０内にセットされた基板Ｗに対して、非極性液体の中に界面活性剤を混合させた乾燥媒体をシャワー状に供給した後、処理槽２０内に乾燥媒体を貯留することにより乾燥媒体中に基板Ｗを浸漬させ、処理槽２０から乾燥媒体を排液することにより基板を乾燥させる。 - 特許庁

In the vapor deposition method of the nitride semiconductor with the nonpolar surface as a main surface onto a substrate for vapor deposition of the nitride semiconductor, the pressure of an atmosphere in the vapor deposition is made to be 1-10kPa and the temperature of the substrate for growing the semiconductor is made to be ≥900°C and <1,100°C.例文帳に追加

無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を１〜１０ｋＰａとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を９００℃以上１１００℃未満とすること。 - 特許庁

An organic semiconductor layer is formed by providing the composition of a homogeneous solution, comprising one or more solvents selected from among one or more organic semiconductive compounds, one or more surfactant compounds, and nonpolar and nonalcoholic solvent on a substrate and arbitrarily removing the solvent.例文帳に追加

１つまたは２つ以上の有機半導性化合物、１つまたは２つ以上の界面活性化合物および非極性および非アルコール有機溶媒から選択した１つまたは２つ以上の溶媒を含む、均質な溶液の配合体を基質上に提供し、任意に溶媒を除去することにより、有機半導体層を形成する。 - 特許庁

The membrane-like formed body of a ceramic powder is obtained by placing a first liquid obtained by dispersing the ceramic powder in a nonpolar solvent on a polar solvent being a second liquid, then sedimenting and filling the ceramic powder on the interface between the first/second liquids, transferring onto a substrate and firing.例文帳に追加

セラミックス粉体の膜状形成体は、無極性溶媒にセラミックス粉体を分散させた第１の液体を、第２の液体である極性溶媒上に配置させ、第１／第２液体間で生じる界面上にセラミックス粉体を沈降・充填せしめ、基板上に転写した後、焼成することにより得られる。 - 特許庁

To obtain an in-mold coating composition which is used for thermoplastic substrates, has an excellent adhesion even to nonpolar thermoplastic substrates such as a polyolefin substrate, is provided with a proper flowability, has good coating film performances such as weathering resistance, durability, coating film appearance and has a storage stability.例文帳に追加

ポリオレフィン基材など非極性の熱可塑性プラスチック基材に対しても優れた密着性を有するとともに、適度な流動性を備え、しかも耐侯性、耐久性や塗膜外観等の塗膜性能に優れ、貯蔵安定性をも備えた、熱可塑性プラスチック基材用インモールドコートコーティング組成物を提供する。 - 特許庁