oxide fluoridesとは 意味・読み方・使い方

To produce high purity fluorides of rare earth metals little in oxide impurities.例文帳に追加

酸化物不純物の少ない高純度の希土類フッ化物を製造する。 - 特許庁

By the etching composition comprising a phosphorus compound, a boron compound, a silicon compound and/or their fluorides thereof, there will be no precipitation of silicon oxide even when the composition is used for a long period of time.例文帳に追加

リン化合物、ホウ素化合物及び／又はそれらのフッ化物を含んでなる窒化ケイ素のエッチング用組成物では、長時間の使用においても酸化ケイ素の析出がない。 - 特許庁

In the method for producing an aluminum fin material for a heat exchanger, the fluorides of the IIa, IIb and IVa group`s metallic elements in the Periodic Table are acted on an aluminum base material subjected to roughening treatment, thus a metallic oxide layer is formed on the base material.例文帳に追加

粗面化処理が施されたアルミニウム基材に周期律表のＩＩa、ＩＩｂ、ＩＶa族の金属元素のフッ化物を作用させることにより金属酸化物層を前記基材上に形成させることを特徴とする熱交換器用アルミニウムフィン材の製造方法。 - 特許庁

By making fluorides of metal elements of groups IIa, IIb, IVa in the periodic table acted on a substrate having a roughened aluminum surface, this is the dye-sensitized solar cell wherein the substrate is used as an electrode in which a metal oxide semiconductor layer is formed on the aluminum surface.例文帳に追加

粗面化されたアルミニウム表面を有する基板に周期律表のＩＩa、ＩＩｂ、ＩＶa族の金属元素のフッ化物を作用させることにより該アルミニウム表面に金属酸化物半導体層が形成された基板を電極として用いることを特徴とする色素増感型太陽電池。 - 特許庁

Plutonium fluoride in fluorides evaporated by applying fluorine to the spent nuclear fuel by a fluorination device 2 is immobilized by an immobilization agent 10 in a Pu immobilization device 4, and the immobilized plutonium fluoride is reacted with steam in an oxide conversion device 7 together with the immobilization agent to acquire a raw material for a mixed oxide fuel, and a non-immobilized portion is reproduced as uranium hexafluoride by a U refining device 6.例文帳に追加

フッ化装置２で使用済核燃料にフッ素を作用させて揮発させたフッ化物中のプルトニウムフッ化物をＰｕ固定化装置４内で固定化剤１０により固定化させ、前記固定化されたプルトニウムフッ化物は固定化剤とともに酸化物転換装置７で水蒸気と反応させて混合酸化物燃料の原料とし、固定化されなかったものはＵ精製装置６にて六フッ化ウランに再生される。 - 特許庁

This dye-sensitized solar cell uses, as an electrode, a base material 17 with a metal oxide semiconductor layer formed on the surface of an aluminum layer by making fluorides of metal elements of groups IIa, IIb and IVa in the periodic table act on a base material having, on a transparent base material 11, a roughened aluminum thin film 13 having a thickness not greater than 20 μm.例文帳に追加

透明基材の上に２０μｍ以下の厚みの粗面化されたアルミニウム薄膜を有する基材に、周期律表のＩＩa、ＩＩｂ、ＩＶa族の金属元素のフッ化物を作用させることにより該アルミニウム層の表面に金属酸化物半導体層を形成した基材を電極として用いることを特徴とする色素増感型太陽電池。 - 特許庁