oxide filmsとは 意味・読み方・使い方

A thin etching stopper film 18 (silicon nitride film) and an inter-layer insulating film 19 (silicon oxide film) are formed on oxide barrier films 16 and inter-layer insulating films 17 (silicon oxide films), and then, openings larger than the oxide barrier films are formed by dry etching immediately above the oxide barrier films 16.例文帳に追加

酸素バリア膜１６、層間絶縁膜１７（酸化シリコン膜）上に、薄いエッチングストッパー膜１８（窒化シリコン膜）、層間絶縁膜１９（酸化シリコン膜）を形成し、酸素バリア膜１６の直上にそれより大きい開口部をドライエッチングにより形成する。 - 特許庁

The antireflection film, and the first and second sidewalls are laminated films including oxide films and nitride films.例文帳に追加

反射防止膜、第１のサイドウォール及び第２のサイドウォールは、酸化膜と窒化膜とを含む積層膜である。 - 特許庁

After forming a field insulating film 12 on one main front surface of a semiconductor substrate 10, sacrificial oxide films or the gate oxide films are formed as oxide films 14a, 14b.例文帳に追加

半導体基板１０の一方の主表面にフィールド絶縁膜１２を形成した後、酸化膜１４ａ，１４ｂとして犠牲酸化膜又はゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

ETCHING SOLUTION AND ETCHING METHOD FOR INDIUM TIN OXIDE FILMS例文帳に追加

酸化インジウム錫膜用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁

An active region and trench element isolating region are provided on a semiconductor substrate 100 while the trench element isolating region is composed of a sidewall insulating films 120 made of thermal oxide films, exposure preventive films 122 made of high temperature oxide films and insulator buried in films 130 made of low temperature oxide films.例文帳に追加

半導体基板上１００に活性領域及びトレンチ素子分離領域を備え、トレンチ素子分離領域は熱酸化膜の側壁絶縁膜１２０、高温酸化膜の露出防止膜１２２及び低温酸化膜の絶縁物埋込層１３０からなる。 - 特許庁

The oxide films 19 and 20 are made of alumina or silicon oxide such as SiO_2 or the like.例文帳に追加

酸化膜１９，２０は、アルミナまたはＳｉＯ_２等の酸化シリコンからなっている。 - 特許庁

Next, a silicon oxide 7 is formed on the substrate 1 between the separation oxide films 6.例文帳に追加

次に、分離酸化膜６間の基板１上にシリコン酸化膜７を形成する。 - 特許庁

A field oxide films 20, 22, 24 and gate oxide films 26, 28 are formed on a surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上の表面には、フィールド酸化膜２０、２２、２４とゲート酸化膜２６、２８とが形成されている。 - 特許庁