極薄シリコン酸化膜の英語

下部電極１２と絶縁性基板１１との間に下部電極１２から電子通過部５が剥れるのを防止する薄膜（例えば、ノンドープの多結晶シリコン、ノンドープのアモルファスシリコン、酸化シリコン、窒化シリコンなど）からなる剥れ防止層１３を介在させてある。例文帳に追加

A peeling off preventing layer 13 comprising a thin film made of (for example, non-doping polycrystalline silicon, non-doping amorphous silicone, silicon oxide, silicon nitride, or the like) preventing the peeling off of the electron passing part 5 from the lower electrode is placed between the lower electrode 12 and an insulating substrate 11. - 特許庁

シリコン基板１１における下部酸化シリコン膜１６Ａ及び上部酸化シリコン膜１８Ａの開口部に露出した領域の表面及び陰極１７の表面は、低仕事関数材料からなる薄い表面被覆膜２０により覆われている。例文帳に追加

An area surface, which is exposed through the openings of the lower dioxide silicon film 16A and the upper dioxide silicon film 18A in the silicon substrate 11, and a surface of the cathode 17 are coated with a thin surface coating film 20 formed from materials of lower work function. - 特許庁

その後、少なくともゲート電極の膜厚よりも厚く、かつ、ゲート電極の膜厚と分離絶縁膜のエッチング膜厚とを合計した膜厚よりも薄いシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上に、エッチングストッパ膜を形成する。例文帳に追加

Then, a silicon oxide film is formed that is at least thicker than the film thickness of the gate electrode and thinner than the film thickness totalling the film thickness of the gate electrode and the thickness of the etched isolation insulating film, and an etching stopper film is formed on top of the silicon oxide film. - 特許庁

島状の不純物を含むシリコン層に接触するように、金属薄膜のソース電極と信号線を形成し陽極酸化する。例文帳に追加

The signal conductor is formed with the source electrode of a metallic thin-film and anode-oxidized so as to be brought into contact with a silicon layer containing insular impurities. - 特許庁

また、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート電極については、フィールド酸化膜形成工程で用いた薄い酸化膜３をゲート酸化膜として用い、且つ第１のポリシリコン層４と第２のポリシリコン層８を積層してゲート電極９としている。例文帳に追加

In addition, as for a gate electrode of a P channel type MOS transistor, a thin oxide film 3 used in the step for forming the field oxide film is used as a gate oxide film, and the first poly-silicon layer 4 and the second poly-silicon layer 8 are laminated and used as the gate electrode 9. - 特許庁

成膜基板表面にダメージを与えず、サブオキサイド層の発生を極力抑制し、酸化膜の絶縁特性をより向上させて酸化膜を薄膜化させることができる高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a high-density silicon oxide film, which suppresses the occurrence of a sub-oxide layer as much as possible without damaging a surface of a film formation substrate and improves insulating characteristics of an oxide film furthermore to make the oxide film thin, and a silicon substrate and a semiconductor device which include the high-density silicon oxide film manufactured by the manufacturing method. - 特許庁

多結晶シリコンからなる半導体薄膜５と、シリコンの酸化物からなる酸化膜３と、ゲート電極膜とを含む積層構造を有する薄膜トランジスタを製造する為に、先ず、絶縁性の基板０に非晶質シリコンからなる半導体薄膜５を形成する薄膜形成工程を行なう。例文帳に追加

In order to manufacture the thin film transistor, having a laminated structure provided with a semiconductor thin film 5 composed of polycrystalline silicon, an oxidized film 3 composed of the oxide of silicon and a gate electrode film and a thin-film forming process for forming the semiconductor thin film 5 composed of an amorphous silicon on an insulating substrate 0 is carried out first. - 特許庁

シリコン窒化膜６０が、薄いシリコン酸化膜５９のみを介して各画素アンプ１５のゲート電極４５を覆うように、ゲート電極４５の付近に局所的に設けられる。例文帳に追加

A silicon nitride film 60 is locally provided near the gate electrode 45 to cover the gate electrode 45 of each pixel amplifier 15 via only a thin silicon oxide film 59. - 特許庁