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極薄ゲート酸化膜の英語
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極薄ゲート酸化膜
「極薄ゲート酸化膜」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 96件
基体上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体薄膜を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部が陽極酸化膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加
In this thin-film transistor including, on a substrate, a gate electrode, a gate insulating film and an oxide semiconductor thin film, at least a portion of the gate insulating film is an anodized film. - 特許庁
二酸化シリコン換算膜厚が5nm未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したMISFETにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。例文帳に追加
To repair a defect of a gate insulating film without oxidizing a metal gate electrode in a MISFET where the metal gate electrode is formed on the much thinned gate insulating film with a thickness of a silicon dioxide reduced thickness of less than 5 nm. - 特許庁
二酸化シリコン換算膜厚が5nm未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したMISFETにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。例文帳に追加
To restore defects of the gate insulating film which has an extremely small thickness of <5 nm (equivalent to silicon dioxide) of an MISFET, in which a metal gate electrode is formed on the gate insulating film without oxidizing the metal gate electrode. - 特許庁
低温酸化により酸化速度を制御できるようにするとともに、界面準位の少ない極薄膜のゲート酸化膜を形成できるようにする。例文帳に追加
To control the oxidation rate by low-temperature oxidation and also to form a gate oxide film being an ultrathin film with few interfacial levels. - 特許庁
ゲート絶縁膜18はゲート電極16を陽極酸化して、高い比誘電率を有する薄厚で緻密な膜に形成される。例文帳に追加
The gate insulation film 18 anodizes the gate electrode 16 to form a thin and dense film having a high dielectric constant relative permittivity. - 特許庁
薄膜トランジスタの構造を、基板10上に形成されたゲート電極20と、ゲート電極20上のゲート絶縁膜30と、ゲート電極20およびゲート絶縁膜30上の酸化物半導体膜40と、酸化物半導体膜40上の金属酸化物膜60と、金属酸化物膜60上の金属膜70と、を有する構造とする。例文帳に追加
The thin film transistor has a structure including a gate electrode 20 formed on a substrate 10, a gate insulating film 30 on the gate electrode 20, an oxide semiconductor film 40 on the gate electrode 20 and the gate insulating film 30, a metal oxide film 60 on the oxide semiconductor layer 40, and a metal film 70 on the metal oxide film 60. - 特許庁
酸化膜20は、ゲート電極30下の厚い第1酸化膜と、ソース開孔50aの外縁から延伸する薄い第2酸化膜と、第1酸化膜と第2酸化膜との間に配置され、第1酸化膜と第2酸化膜との中間の厚さを有する第3酸化膜と、から構成される。例文帳に追加
The oxide film 20 comprises a thick first oxide film under the gate electrode 30, a thin second oxide film extending from an outer edge of the source hole 50a, and a third oxide film which is disposed between the first oxide film and the second oxide film, and has an intermediate thickness between the first oxide film and the second oxide film. - 特許庁
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「極薄ゲート酸化膜」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 96件
薄膜トランジスタを作成する場合、多結晶半導体薄膜5と、その一面側に接して配されたゲート酸化膜3と、ゲート酸化膜3を介して半導体薄膜5に重ねられたゲート電極1とを含む積層構造を、絶縁基板0上に形成する。例文帳に追加
When a thin-film transistor is formed, a laminated structure is formed on an insulating substrate 0 which structure includes polycrystalline semiconductor thin film 5, a gate oxide film 3 which is in contact with one surface side of the thin film, and a gate electrode 1 stacked on the semiconductor thin film 5 via the gate oxide film 3. - 特許庁
本発明の薄膜トランジスターは、基板、基板上のソース電極、及びドレーン電極、ソース電極、及びドレーン電極間の酸化物活性層、酸化物活性層の一面の上のゲート電極、ゲート電極と酸化物活性層との間のゲート絶縁膜、及びゲート絶縁膜と酸化物活性層との間の緩衝層を含む。例文帳に追加
The thin film transistor includes: a substrate; a source electrode and a drain electrode on the substrate; an oxide active layer between the source electrode and the drain electrode; a gate electrode on one side of the oxide active layer; a gate insulating film between the gate electrode and the oxide active layer; and a buffer layer between the gate insulating film and the oxide active layer. - 特許庁
また、Pチャネル型MOSトランジスタのゲート電極については、フィールド酸化膜形成工程で用いた薄い酸化膜3をゲート酸化膜として用い、且つ第1のポリシリコン層4と第2のポリシリコン層8を積層してゲート電極9としている。例文帳に追加
In addition, as for a gate electrode of a P channel type MOS transistor, a thin oxide film 3 used in the step for forming the field oxide film is used as a gate oxide film, and the first poly-silicon layer 4 and the second poly-silicon layer 8 are laminated and used as the gate electrode 9. - 特許庁
シリコン膜領域の過剰な薄膜化やゲート電極の位置ズレに伴う諸問題が生じることなく、且つエッチング処理によるゲート酸化膜へのダメージを防止して、ゲート電極を形成する製造方法の提供。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing semiconductor device by which a gate electrode can be formed by preventing a gate oxide film from being damaged by etching without causing any problem accompanying the excessive thinning of a silicon film region or the positional deviation of the gate electrode. - 特許庁
基板、基板上のゲート電極、ゲート電極及び露出された基板上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上で、ゲート電極と対向する位置にありつつ、Hfの濃度が9〜15atom%の範囲にあるHfInZnO系からなる酸化物半導体層、及び酸化物半導体層の両側から、ゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインを含む薄膜トランジスタである。例文帳に追加
The thin film transistor includes a substrate, a gate electrode on the substrate, a gate insulating film on the gate electrode and the exposed substrate, an oxide semiconductor layer which is in an opposite position to the gate electrode on the gate insulating film and composed of an oxide semiconductor based on HfInZnO having an Hf concentration of 9 to 15 atom%, and a source and a drain which extend on the gate insulating film from both sides of the oxide semiconductor layer. - 特許庁
基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを少なくとも有し、該酸化物半導体薄膜層中に水素を少なくとも含有することを特徴とする薄膜トランジスタである。例文帳に追加
The thin-film transistor comprises an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, deposited on a substrate, and forming a channel; a gate insulating film; and a gate electrode at least, wherein hydrogen is contained at least in the oxide semiconductor thin-film layer. - 特許庁
基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。例文帳に追加
The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process. - 特許庁
ゲート電極を形成した絶縁基板70を成膜装置の反応室12に投入して化学気相成長法によりゲート酸化膜を形成し、更に同一の反応室12内でゲート酸化膜に重ねて半導体薄膜を形成する連続成膜工程を行なう。例文帳に追加
A continuous film-forming process for supplying the insulating substrate 70, where the gate electrode is formed to the reaction room 12 of a film forming device, forming a gate oxide film with a chemical vapor phase growing method, and forming a semiconductor thin film by overlapping it on the gate oxide in the same reaction room 12 is executed. - 特許庁
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