極薄ゲートの英語

ゲート絶縁膜５上には、薄膜トランジスタのゲート電極が形成されている。例文帳に追加

The gate electrode of the thin film transistor is formed on the gate insulating film 5. - 特許庁

薄膜トランジスタ７それぞれのゲート電極32にゲート信号回路11を電気的に接続させる。例文帳に追加

A gate signal circuit 11 is electrically connected to each gate electrode 32 of thin film transistors 7. - 特許庁

金属配線８０ａはボトムゲート型薄膜トランジスタ６０のゲート電極となっている。例文帳に追加

The metal wiring 80a is served as the gate electrode of a bottom-gate thin film transistor 60. - 特許庁

薄膜トランジスタ１０は、ゲート電極１、ゲート絶縁膜及び半導体層２を積層してなる。例文帳に追加

In a thin-film transistor 10, a gate electrode 1, gate insulating film, and a semiconductor layer 2 are stacked. - 特許庁

ゲート電極１０２１を薄くし且つゲート配線１０２２を厚くすることができる。例文帳に追加

The gate electrode 1021 can be thinner while forming the gate wiring 1022 thicker. - 特許庁

さらに、前記ゲート電極埋め込み用溝に前記ダミーゲート絶縁膜よりも膜厚の薄いゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に電極材料を埋め込んでゲート電極を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film thinner than the dummy gate insulating film is formed in the trench for burying the gate electrode, and an electrode material is buried on the gate insulating film to form the gate electrode. - 特許庁

薄膜トランジスタ表示板には、絶縁基板上にゲート電極を有するゲート線が形成され、ゲート線を覆うゲート絶縁膜上部には、ゲート電極と重なる半導体層が形成されている。例文帳に追加

In the thin film transistor display plate, gate lines having gate electrodes are formed on an insulating substrate and semiconductor layers overlapping with the gate electrodes are formed at an upper part of a gate insulating film covering the gate lines. - 特許庁

ここで、クリアゲート電極ＣＧのクリアゲート絶縁層ＣＧＯの厚さを変調ゲート絶縁層ＭＧＯと比べ薄くする。例文帳に追加

The clear gate insulation layer CGO of the clear gate electrode CG is formed thinner than a modulation gate insulation layer MGO. - 特許庁