ultra thin gateとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, by which a gate electrode structure provided with an ultra-thin gate oxide film of 3 nm or less can be processed accurately for silicide formation.例文帳に追加

３ｎｍ以下の極薄ゲート酸化膜を有するゲート電極構造を高精度に加工し、サリサイド形成を可能にする半導体装置ならびにその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a high-quality, ultra-thin-film interface oxide layer 418 suitable for use as a high-permittivity gate insulating film 424 when manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

半導体の製造において高誘電率ゲート絶縁膜（４２４）として使用するのに適した高品質な超薄膜界面酸化物層（４１８）を形成する方法。 - 特許庁

Thus, an ultra-thin gate oxide film 12 or 3 nm or less is hardly broken by dry-etching of the poly-Si film gate electrode, and the silicide formation can be realized, and the high current driving capability and low resistance of a transistor also be realized.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜のゲート電極ドライエッチングにおいて３ｎｍ以下の極薄ゲート酸化膜１２を突き破ることがなく、かつサリサイド形成が実現でき、トランジスタの高電流駆動能力、低抵抗化が実現できる。 - 特許庁

A single-gate FinFET structure 100 includes an active fin structure having two enlarged head portions and two respective tapered neck portions that connect the enlarged head portions with an underlying ultra-thin body.例文帳に追加

シングルゲートフィンＦＥＴ構造１００は、２つの拡大された頭部、及び当該拡大された頭部と下層の超薄型ボディとを連結する２つの徐々に細くなる首部を有するアクティブフィン構造を含む。 - 特許庁

To obtain a highly integrated high-performance element by simplifying the manufacturing process of the element, using an ultra thin hafnium oxide (HfO_2) or ZrO_2 film formed in sol-gel method for the gate insulating film of a transistor which serves as a base in the element and improving the characteristics of the insulating film.例文帳に追加

高集積化が著しいシリコン（Si）素子（ULSI）において、ベースとなるトランジスタのゲート絶縁膜にゾルゲル法で作製した酸化ハフニウム（HfO_2）やZrO_2超薄膜を使用し、製造プロセスを簡略化し、かつ絶縁膜特性の向上により、高性能の高集積化素子（ULSI）を実現する。 - 特許庁