ultrathin dielectric filmとは 意味・読み方・使い方

The proper ultrathin-film dielectric (312) is a gate oxide film having a thickness of approximately 50 Angstrom or less and having a high reliability.例文帳に追加

適切と考えられる超薄膜誘電体（３１２）は約５０オングストローム以下の厚さの高信頼度のゲート酸化膜である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory cell utilizing the breakdown phenomenon of an ultrathin-film dielectric and a memory array.例文帳に追加

超薄膜誘電体のブレークダウン現象を利用した半導体メモリセルセル及びメモリアレイを提供する。 - 特許庁

To inhibit increase in film thickness calculated in terms of the film thickness of a silicon oxide film as the whole gate insulating film and to constitute an ultrathin gate insulating film containing an insulating film having a high dielectric constant as its main component.例文帳に追加

ゲート絶縁膜全体として、シリコン酸化膜換算膜厚の増加を抑制し、高誘電率を有する絶縁膜を主体とした極薄ゲート絶縁膜を構成すること。 - 特許庁

Thereby, an ultrathin gate insulating film containing the film 18, which inhibits increase in film thickness calculated in terms of the film thickness of a silicon oxide film and has a high dielectric constant, as its main component can be constituted.例文帳に追加

これにより、膜厚の増加を抑制し、高誘電率を有する絶縁膜を主体とした極薄ゲート絶縁膜を構成することができた。 - 特許庁

Information is stored by setting the leakage-current level of the semiconductor memory cell (300) by causing breakdown (a soft or hard breakdown) by stressing the ultrathin-film dielectric (312) by using the semiconductor memory cell (300) including a data storage element (115) configured around the ultrathin-film dielectric (312).例文帳に追加

超薄膜誘電体（３１２）の周りに構成されるデータ記憶素子（１１５）を有する半導体メモリセル（３００）を使用し、超薄膜誘電体（３１２）にストレスを与えてブレークダウン（ソフトまたはハードブレークダウン）させてメモリセル（３００）のリーク電流レベルを設定することにより情報を記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a high dielectric thin film, an ultrathin gate insulation layer which is indispensable to high integration and acceleration of MOSFET in particular, and a high dielectric thin film etching agent composition used in the manufacturing process of a semiconductor device with a gate electrode.例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁