誘電体超薄膜の英語

本構造は単一ダマシンまたはデュアル・ダマシン型であることができ、金属障壁層と超低Ｋ誘電体の間に高密度の薄膜誘電体層（ＴＤＬ）を備える。例文帳に追加

This structure can be of a single or dual damascene type provided with high-density TDL (thin dielectric layer) between a metal barrier layer and the ULK dielectric. - 特許庁

適切と考えられる超薄膜誘電体（３１２）は約５０オングストローム以下の厚さの高信頼度のゲート酸化膜である。例文帳に追加

The proper ultrathin-film dielectric (312) is a gate oxide film having a thickness of approximately 50 Angstrom or less and having a high reliability. - 特許庁

本発明の目的は、ＢＳＴ薄膜を膜厚が４０ｎｍを超えて２００ｎｍ以下に極薄化させながらも、高誘電率の特性と低リーク電流密度の特性を両立させた誘電体薄膜及びそれを素子化した薄膜誘電体素子並びにその最適な製造方法を提供することである。例文帳に追加

To obtain a dielectric thin film and a thin film dielectric element satisfying both characteristics of a high dielectric constant and a low leak current density while making a BST thin film thinner than 40 nm and as thin as 200 nm or less, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

超薄膜誘電体（３１２）の周りに構成されるデータ記憶素子（１１５）を有する半導体メモリセル（３００）を使用し、超薄膜誘電体（３１２）にストレスを与えてブレークダウン（ソフトまたはハードブレークダウン）させてメモリセル（３００）のリーク電流レベルを設定することにより情報を記憶する。例文帳に追加

Information is stored by setting the leakage-current level of the semiconductor memory cell (300) by causing breakdown (a soft or hard breakdown) by stressing the ultrathin-film dielectric (312) by using the semiconductor memory cell (300) including a data storage element (115) configured around the ultrathin-film dielectric (312). - 特許庁

強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成し、このシード層の上層に、強誘電体薄膜を形成し、このシード層を核として結晶化を行うようにしたことを特徴とする。例文帳に追加

A method for manufacturing a ferroelectric thin film comprises the steps of forming a seed layer containing an ultra-fine particle powder which contains a constituting element of the ferroelectric thin film, on the surface of a substrate for constituting a substrate prior to a formation of the ferroelectric thin film, forming the ferroelectric thin film on an upper surface of the seed layer, and crystallizing the thin film with the seed layer as a nucleus. - 特許庁

酸化物高温超伝導体薄膜を誘電体基板１上に成膜し、成膜後に酸素雰囲気中で熱処理することにより酸化物高温超伝導体の酸素欠損を補償する。例文帳に追加

The oxide high-temperature superconductor thin film is formed on the dielectric substrate 1, and, after the film is formed, heat treatment is applied thereto in an oxygen atmosphere, thereby compensating for the lack of oxygen in an oxide high-temperature superconductor. - 特許庁

本発明の方法により作製されるビスマス含有酸化物薄膜は、例えば、集積回路における強誘電体材料または誘電材料として、および超伝導体材料として使用することができる。例文帳に追加

The bismuth-containing oxide thin film formed by the method can be used, for example, as a ferroelectric material or a dielectric material in an integrated circuit, and as a superconductor material. - 特許庁

強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜１１０を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Ａｒエアロゾル洗浄、ＣＯ_2 洗浄、超臨界状態のＣＯ_2 による洗浄又はＵＶ洗浄等のドライ洗浄を用いる。例文帳に追加

In a cleaning process being performed later than a process for forming a ferroelectric thin film 110 becoming a part of a ferroelectric thin film capacitor, dry cleaning, e.g. ashing, Ar aerosol cleaning, CO_2 cleaning, cleaning with CO_2 in a supercritical state, or UV cleaning, is employed. - 特許庁