誘電体超薄膜の英語

適切と考えられる超薄膜誘電体（３１２）は約５０オングストローム以下の厚さの高信頼度のゲート酸化膜である。例文帳に追加

The proper ultrathin-film dielectric (312) is a gate oxide film having a thickness of approximately 50 Angstrom or less and having a high reliability. - 特許庁

具体的には、本願発明は、導電性電極層上に（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_ａＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１、１．０≦ａ≦１．２）からなる薄膜誘電体を形成する工程と、形成した前記薄膜誘電体を６００℃を超えて１０００℃以下でアニールする工程と、を含む薄膜誘電体素子の製造方法である。例文帳に追加

More specifically, the method for manufacturing the thin film dielectric element comprises a step for forming the thin film dielectric of (Ba_1-xSr_x)_aTiO_3(0≤x≤1, 1.0≤a≤1.2) on a conductive electrode layer, and a step for annealing the thin film dielectric thus formed at 600-1,000°C. - 特許庁

強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成し、このシード層の上層に、強誘電体薄膜を形成し、このシード層を核として結晶化を行うようにしたことを特徴とする。例文帳に追加

A method for manufacturing a ferroelectric thin film comprises the steps of forming a seed layer containing an ultra-fine particle powder which contains a constituting element of the ferroelectric thin film, on the surface of a substrate for constituting a substrate prior to a formation of the ferroelectric thin film, forming the ferroelectric thin film on an upper surface of the seed layer, and crystallizing the thin film with the seed layer as a nucleus. - 特許庁

強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜１１０を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Ａｒエアロゾル洗浄、ＣＯ_2 洗浄、超臨界状態のＣＯ_2 による洗浄又はＵＶ洗浄等のドライ洗浄を用いる。例文帳に追加

In a cleaning process being performed later than a process for forming a ferroelectric thin film 110 becoming a part of a ferroelectric thin film capacitor, dry cleaning, e.g. ashing, Ar aerosol cleaning, CO_2 cleaning, cleaning with CO_2 in a supercritical state, or UV cleaning, is employed. - 特許庁

強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜１１０を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Ａｒエアロゾル洗浄、ＣＯ_2 洗浄、超臨界状態のＣＯ_2 による洗浄又はＵＶ洗浄等のドライ洗浄を用いる。例文帳に追加

In a cleaning process being performed later than a process for forming a ferroelectric thin film 110 becoming a part of a ferroelectric thin film capacitor, dry cleaning, e.g. ashing, Ar aerosol cleaning, CO_2 cleaning, cleaning with CO_2 in supercritical state, or UV cleaning, is employed. - 特許庁

本発明の方法により作製されるビスマス含有酸化物薄膜は、例えば、集積回路における強誘電体材料または誘電材料として、および超伝導体材料として使用することができる。例文帳に追加

The bismuth-containing oxide thin film formed by the method can be used, for example, as a ferroelectric material or a dielectric material in an integrated circuit, and as a superconductor material. - 特許庁

本構造は単一ダマシンまたはデュアル・ダマシン型であることができ、金属障壁層と超低Ｋ誘電体の間に高密度の薄膜誘電体層（ＴＤＬ）を備える。例文帳に追加

This structure can be of a single or dual damascene type provided with high-density TDL (thin dielectric layer) between a metal barrier layer and the ULK dielectric. - 特許庁

バルク単結晶ＳＴＯは、低温で高い誘電率を示すため、超伝導や低温デバイスの実用化で極めて有用な誘電体であるにも関わらず、薄膜化すると誘電率が低下してしまうという欠点があり、現在に至るもこの欠点は、克服されていない。例文帳に追加

To solve a problem that a bulk single crystal STO is a very useful dielectric body because of the practical use of superconduction or a hygenic device since the STO shows a high dielectric constant at low temperatures, but the STO has a fault that the dielectric constant is lowered when the STO is changed into a thin film and the fault has not been overcome up to the present date. - 特許庁