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p-i-n photodiodeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ピンホトダイオード
「p-i-n photodiode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5件
The photodiode absorbs one part (for example, approximately two thirds) of laser output and transmits the remainder (approximately one third), and is a PIN photodiode consisting of a p-type contact layer (p layer) 29, a light absorption layer (i layer) 30, and an n-type contact layer (n layer) 31.例文帳に追加
このフォトダイオードは、p型コンタクト層(p層)29、光吸収層(i層)30、およびn型コンタクト層(n層)31からなるPINフォトダイオードである。 - 特許庁
A pin photodiode is formed by laminating an n-InP layer 22, an I-InGaAs layer 24, and an n-InP layer 26 on an n-InP substrate 20 and forming p-type diffusion areas 28 by diffusing Zn in the n-InP layer 26.例文帳に追加
n−InP基板20上に、n−InP層22,i−InGaAs層24,n−InP層26が積層され、n−InP層26内にZnが拡散されてp型拡散領域28が形成され、pinフォトダイオードが作られている。 - 特許庁
P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加
P型Si基板1の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードIIとNPNトランジスタIとの分割部領域にP型埋め込み拡散層2をそれぞれ形成するとともに、NPNトランジスタIの領域内にN型埋め込み拡散層3を形成する。 - 特許庁
At this time, the control system 100 regulates each power output of high-frequency power sources 17, 19 (bias output and ICP output) on the basis of pre-recorded information or the like, so that a formed p-i-n photodiode 1 shows current leakage of an allowable value or less.例文帳に追加
このとき、制御系100は、予め記憶された情報等に基づいて、形成されるPINフォトダイオード1のリーク電流が許容値以下となるように、高周波電源17及び19の出力(バイアス出力及びICP出力)をそれぞれ調整する。 - 特許庁
The photodiode 10 includes a silicon film 11 provided with a first conductivity type first semiconductor region (a p-layer 6), an intrinsic semiconductor region (an i-layer 7), a first conductivity type second semiconductor region (a p-layer 8), and a second conductivity type third semiconductor region (an n-layer 9) in which the conductivity type is a reverse of the first conductivity type.例文帳に追加
フォトダイオード10は、第1導電型の第1の半導体領域(p層6)と、真性半導体領域(i層7)と、第1導電型の第2の半導体領域(p層8)と、導電型が第1導電型の逆となった第2導電型の第3の半導体領域(n層9)とが設けられたシリコン膜11を備えている。 - 特許庁
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