phase growth processとは 意味・読み方・使い方

A method of manufacturing a semiconductor device includes a vapor phase growth process of carrying out vapor phase growth of a semiconductor growing layer of a nitride in the trench 42 of a semiconductor base layer 10 of a nitride having the trench 42 formed at a surface layer portion.例文帳に追加

表層部にトレンチ４２が形成されている窒化物の半導体下地層１０のトレンチ４２内に、窒化物の半導体成長層を気相成長させる気相成長工程を備えている。 - 特許庁

BARRIER COVERING AND METHOD FOR STACKING BARRIER COVERING ON PLASTIC MATERIAL BY HIGH OUTPUT PLASMA CHEMICAL GAS PHASE GROWTH PROCESS例文帳に追加

バリア被覆および高出力プラズマ化学気相成長法によってプラスチック物体上にバリア被覆を堆積する方法 - 特許庁

A sapphire substrate 11 having C face as a main face is introduced into a metal organic vapor phase epitaxial growth(MOVPE) furnace in the process shown in Fig. 1 (a).例文帳に追加

図１（ａ）に示す工程で、Ｃ面を主面とするサファイア基板１１をＭＯＶＰＥ炉内に導入する。 - 特許庁

In a growth process S1, a gas G1 containing an ammonia and group III organic metal matter is supplied into a growth furnace 15 of a vapor phase growth apparatus 11 to grow a group III nitride semiconductor of GaN etc.例文帳に追加

成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。 - 特許庁

Consequently, the temperature of the phase-change element 5 passes through the optimal crystal growth temperature range Tm in process of lowering, so that the phase-change element 5 can be changed into the crystal state.例文帳に追加

したがって、相変化素子５の温度が下降する途中で最適な結晶成長温度範囲Ｔｍを通るので、相変化素子５を結晶状態にすることができる。 - 特許庁

In a process S2, the group III organic metal matter is stopped from being supplied into the vapor phase growth apparatus 11 at the time t1 to finish the growth of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。 - 特許庁

The process device 1 is a vacuum device, such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device or an ion beam sputtering device, or a thin-film growth device, such as an organic-metal gas-phase growth device or a liquid phase epitaxial device, or a surface treatment device, etc.例文帳に追加

プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

The stain growth-preventing method for the gas phase part in the oil quenching column includes a heat recovery process in a middle shelf of the column, and allows the presence of an effective amount of a polymerization inhibitor for preventing growth of the stain in a condensate of a process steam in the gas phase part of the oil quenching column in the process for manufacturing the olefins.例文帳に追加

塔中段に熱回収プロセスを有する、オレフィン類製造プロセスのオイルクエンチ塔の気相部において、プロセス蒸気の凝縮液中に汚れの成長を防止するための有効量の重合禁止剤を存在させることを特徴とするオイルクエンチ塔気相部の汚れ成長防止方法。 - 特許庁