piezoresistanceとは 意味・読み方・使い方

The diaphragm 2 is provided with two piezoresistance elements 3a and 3b at its center part and two piezoresistance elements 3c and 3d at its peripheral part, and the respective piezoresistance elements 3a to 3d are so connected as to constitute a Wheaston bridge.例文帳に追加

ダイヤフラム２の中央部には２つのピエゾ抵抗素子３ａ，３ｂが、周部には２つのピエゾ抵抗素子３ｃ，３ｄが設けられており、各ピエゾ抵抗素子３ａ〜３ｄはホイートストンブリッジを構成するように接続される。 - 特許庁

This semiconductor fin has a crystallographic orientation and a piezoresistance coefficient intrinsic to an axial direction.例文帳に追加

この半導体フィンは、結晶方位および軸方向固有のピエゾ抵抗係数を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor piezoresistance sensor capable of detecting a single-axis stress by only one piece.例文帳に追加

１枚のみで単軸の応力の検出が可能な半導体ピエゾ抵抗センサを提供すること。 - 特許庁

Polysilicon gauge resistors R1, R2, R3, R4 having piezoresistance effect are formed on the insulation film 22.例文帳に追加

ピエゾ抵抗効果を有するポリシリコンゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が絶縁膜２２上に形成されている。 - 特許庁

To improve the yield of an acceleration sensor by improving precision of a formation position of a piezoresistance element.例文帳に追加

ピエゾ抵抗素子の形成位置の精度を高め、加速度センサの歩留まりを向上させる。 - 特許庁

Piezoresistance 3 and diffusion wiring 4 are formed at a preset position on one side of the diaphragm 1a, and an oxide film 5 and nitride film 6 are formed on the side of the semiconductor pressure sensor tip 1 where the piezoresistance 3 is formed.例文帳に追加

ダイヤフラム１ａの一面側所定位置には、ピエゾ抵抗３及び拡散配線４が形成され、半導体圧力センサチップ１のピエゾ抵抗３形成面側には酸化膜５／窒化膜６が形成されている。 - 特許庁

The piezoresistance elements 3a and 3b provided at the center part of the diaphragm 2 are made more meandering than the piezoresistance elements 3c and 3d provided at the peripheral part.例文帳に追加

ダイヤフラム２の中央部に設けられたピエゾ抵抗素子３ａ，３ｂは、周部に設けられたピエゾ抵抗素子３ｃ，３ｄよりも蛇行回数が多くなるように形成されている。 - 特許庁

In a pressure sensor 1, a series resistor 17 consisting of piezoresistance elements 5, 6 and a series resistor 18 consisting of piezoresistance elements 7, 8 are connected in parallel with each other for the formation of a bridge circuit 16.例文帳に追加

圧力センサ１には、ピエゾ抵抗５，６からなる直列抵抗体１７とピエゾ抵抗７，８からなる直列抵抗体１８とを並列に接続してブリッジ回路１６を形成する。 - 特許庁