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ピエゾ抵抗効果の英語
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英訳・英語 piezoresistance effect
「ピエゾ抵抗効果」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
ピエゾ抵抗効果という,電気抵抗に見られる現象例文帳に追加
a phenomenon present in electric resistance, called {piezoelectric resistance effect}発音を聞く - EDR日英対訳辞書
ピエゾ抵抗部には、圧力検出時、圧縮力が作用し、それによりピエゾ抵抗効果が生じる。例文帳に追加
Compressive force acts on the piezo resistance section at the pressure detection, and thus the piezo resistance effect occurs. - 特許庁
ピエゾ抵抗効果を有するポリシリコンゲージ抵抗R1,R2,R3,R4が絶縁膜22上に形成されている。例文帳に追加
Polysilicon gauge resistors R1, R2, R3, R4 having piezoresistance effect are formed on the insulation film 22. - 特許庁
半導体基板上にピエゾ抵抗効果を有する感圧素子Ra,Rb,Rc,Rdを形成する。例文帳に追加
Pressure sensitive elements Ra, Rb, Rc, Rd having a piezo resistance effect are formed on a semiconductor board. - 特許庁
膜12の上には、例えばピエゾ抵抗効果を示す半導体等からなる抵抗部材18を形成する。例文帳に追加
On the film 12, a resistive member 18, consisting of semiconductor and the like exhibiting a piezoresistive effect for example, is formed. - 特許庁
センサ50は、ピエゾ抵抗効果を有しており、外部から圧力が印加されるゲージ抵抗10を備えている。例文帳に追加
This sensor 50 is provided with the gage resistance 10 having a piezoresistance effect, and applied with pressure from an outside. - 特許庁
ポリシリコン抵抗体15に電界を印加してストレスを生じさせ、ピエゾ抵抗効果により抵抗値が高い方向または低い方向にシフトさせる。例文帳に追加
The application of an electric field to the polysilicon resistance body 15 generates stress therein, and this, due to to piezoelectric effect, causes shifting in the direction of higher resistance or in the direction of lower resistance. - 特許庁
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Weblio英和対訳辞書での「ピエゾ抵抗効果」の英訳 |
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ピエゾ抵抗効果
Weblio例文辞書での「ピエゾ抵抗効果」に類似した例文 |
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ピエゾ抵抗効果
電気抵抗.
an ionic compound that resists changes in its pH
such resistible temptations
pass into or through, often by overcoming resistance
「ピエゾ抵抗効果」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
単ゲージ抵抗は、作用する応力によって抵抗値が変化するピエゾ抵抗効果を有するとともに、その抵抗値が温度上昇に依存して上昇する正の温度特性を有している。例文帳に追加
The single gage resistance has piezoresistance effect in which its resistance value changes in accordance with stress acting thereon and has positive temperature characteristics in which its resistance value increases depending on a temperature rise. - 特許庁
また、圧力センサS2に関しては、ゲージ抵抗18a〜18dはピエゾ抵抗効果を十分に発揮して抵抗値を変化させるため、好適に圧力検出を行うことが可能となる。例文帳に追加
Regarding the pressure sensor S2, the resistance values of the gauge resistors 18a-18d are varied by sufficiently exhibiting the piezo resistance effect, so that suitable pressure detection can be performed. - 特許庁
このため、メンブレン17上の傍熱抵抗12およびリード部55、60に生じるピエゾ抵抗効果を効果的に抑制して、傍熱抵抗12およびリード部55、60の抵抗値が実装応力によって変動するのを抑制することができる。例文帳に追加
Therefore, it is possible to suppress effectively a piezoresistance effect produced in the indirect heat resistance 12 and the lead parts 55 and 60 on the membrane 17 and thereby to suppress the variation in the resistance values of the indirect heat resistance 12 and the lead parts 55 and 60 on the membrane 17 caused by the mounting stress. - 特許庁
半導体単結晶が有するピエゾ抵抗効果の異方性により同一基板上でホイートストンブリッジ回路の動作が可能となる。例文帳に追加
Thus, the operation of Wheatstone bridge circuit becomes possible on the same substrate due to the anisotropy of the piezoresistance effect possessed by the semiconductor single crystal. - 特許庁
抵抗部材18の代りにピエゾ電気効果を示す絶縁部材又は静電容量を構成する変位可能な導電部材を設けてもよい。例文帳に追加
Instead of the resistive member 18, an insulation member, showing piezoelectric effect or a conductive member constituting capacitance and capable of displacing may be provided. - 特許庁
特に、従来に比べてピエゾ素子に対する遮光効果を高め、正確な出力を得ることが可能なピエゾ抵抗型物理量センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加
To provide a piezoresistance type physical quantity sensor capable of enhancing a light blocking effect to piezoelements and obtaining an accurate output, and a method for manufacturing the same. - 特許庁
半導体装置2000は、ピエゾ抵抗部であるゲージ13a,13cを有し、ピエゾ抵抗効果を利用して圧力を検出する半導体圧力センサ200と、メサ形状のシール部35と、ゲージの上面およびシール部の上面に接する圧力伝達ブロック19と、を含む。例文帳に追加
A semiconductor device 2000 comprises a semiconductor pressure sensor 200 that has gages 13a and 13c as a piezo resistance section and detects pressure using a piezo resistance effect, a sealing section 35 of a mesa shape, and a pressure transmission block 19 coming into contact with the upper surface of the gages and the upper surface of the sealing section. - 特許庁
これにより、エタノール分子が多孔質シリカ薄膜4の空孔に吸着することにより多孔質シリカ薄膜4が膨張して梁状部材3に力を印加し、ピエゾ抵抗効果により梁状部材3の電気抵抗値が変化する。例文帳に追加
Consequently, ethanol molecules are adsorbed to pores in the film 4, the film 4 is swollen, a force is applied to the beamlike member 3, an the electrical resistance value of the beamlike member 3 is changed due to a piezoresistance effect. - 特許庁
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