piezoresistance effectとは 意味・読み方・使い方

Therefore, it is possible to suppress effectively a piezoresistance effect produced in the indirect heat resistance 12 and the lead parts 55 and 60 on the membrane 17 and thereby to suppress the variation in the resistance values of the indirect heat resistance 12 and the lead parts 55 and 60 on the membrane 17 caused by the mounting stress.例文帳に追加

このため、メンブレン１７上の傍熱抵抗１２およびリード部５５、６０に生じるピエゾ抵抗効果を効果的に抑制して、傍熱抵抗１２およびリード部５５、６０の抵抗値が実装応力によって変動するのを抑制することができる。 - 特許庁

When the resistance track in which the piezoresistance effect appears is formed in either the non-concentration region of stress or the concentration region of stress, the range where the proportional relation between the force and the output is expanded, or the detection sensitivity of the element for detecting force is improved.例文帳に追加

ピエゾ抵抗効果が出現する抵抗路が、応力非集中領域または応力集中領域のいずれか一方にのみ形成されていると、力と出力の間に比例関係が得られる範囲が拡大し、あるいは力検知素子の検知感度が向上する。 - 特許庁

To provide a micromirror device, of which the rotation angle can be accurately controlled on the basis of a signal of a gauge utilizing a piezoresistance effect, by integrally building the gauge in a torsion bar where stress is generated when a micromirror rotates.例文帳に追加

マイクロミラーが回転する際に応力が発生するトーションバー内部にピエゾ抵抗効果を利用したゲージを一体として組み込むことで、ゲージの信号に基づき、正確に回転角を制御できるマイクロミラーデバイスを提供する。 - 特許庁

Since the shear-type strain gauge 3 utilizing the piezoresistance effect is integrally built in the torsion bar 2 where shear stress is generated by rotation of the mirror 1, the micromirror device, of which the angle of rotation can be measured and controlled on the basis of the signal of the gauge 3, is obtained.例文帳に追加

ミラー１が回転する際にせん断応力が発生するトーションバー２にピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を一体として組み込むことで、ゲージ３の信号に基づき、回転角を測定し制御することを可能とするマイクロミラーデバイスが得られる。 - 特許庁

In a junction process, a silicon substrate (semiconductor substrate) 20 on which a plurality of detection parts 4a in which a plurality of strain gauges having a piezoresistance effect in its thin diaphragm part are provided to form a bridge circuit is provided on a glass substrate 21 and put the silicon substrate 20 and the glass substrate 21 together by an anodic junction method.例文帳に追加

接合工程は、薄肉のダイアフラム部にピエゾ抵抗効果を有する複数の歪みゲージをブリッジ回路状に形成してなる検出部４ａを複数備えるシリコン基板（半導体基板）２０をガラス基板２１上に配設し、シリコン基板２１及びガラス基板２１を陽極接合法によって接合する。 - 特許庁

The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate.例文帳に追加

半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。 - 特許庁

A resistance track, in which the piezoresistance effect appears in either the region, where a stress lower than a threshold specified between a maximum and a minimum stress (namely, the non-concentrated region of stress) or the region, where a stress higher than the threshold (namely, the concentrated region of stress) is formed selectively.例文帳に追加

最大応力と最小応力の間に設定されている閾値よりも低い応力が分布している領域（すなわち応力非集中領域）と前記閾値よりも高い応力が分布している領域（すなわち応力集中領域）のいずれか一方に、ピエゾ抵抗効果を発揮する抵抗路が選択的に形成されている。 - 特許庁