polycrystalline layerとは 意味・読み方・使い方

In a manufacturing method of a polycrystalline silicon resistor 51, a resistance film of a polycrystalline silicon layer 5 is formed by diffusing an impurity element to the polycrystalline silicon layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン層５に不純物元素を拡散させて多結晶シリコン層５の抵抗膜を形成する多結晶シリコン抵抗５１の製造方法。 - 特許庁

The amorphous silicon layer 4x changes into a second polycrystalline silicon layer 4y.例文帳に追加

非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。 - 特許庁

Then the precursor layer is converted to the polycrystalline silicon layer by laser annealing.例文帳に追加

次いで、先駆層はレーザアニーリングによって多結晶シリコン層に変換する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER, AND LASER ANNEALING APPARATUS例文帳に追加

多結晶半導体層の製造方法及びレーザアニール装置 - 特許庁

In this image display using transistors each having a polycrystalline semiconductor layer and a gate electrode is formed through an insulating film on the upper surface of the polycrystalline semiconductor layer, and a drain region is formed on one side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and a source region is formed on another side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor.例文帳に追加

さらに、本発明は、ＬＤＤ領域における不純物濃度の制御が容易な構成な多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A conductive layer 11 is formed on the polycrystalline silicon film 4.例文帳に追加

多結晶シリコン膜４上に導電層１１を形成する。 - 特許庁

The resistance change layer 3 principally contains a polycrystalline semiconductor.例文帳に追加

抵抗変化層３は多結晶半導体を主成分とする。 - 特許庁

A gate insulating film 4, a lower layer polycrystalline silicon film 5a, and an upper layer polycrystalline silicon film 5b are laminated on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１にゲート絶縁膜４、下層多結晶シリコン膜５ａ、上層多結晶シリコン膜５ｂを積層形成する。 - 特許庁