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recessed gateとは 意味・読み方・使い方
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「recessed gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 176件
SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING RECESSED GATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
リセスゲートを有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
To leave the gate trace 7 in the recessed part 5, a part having smaller thickness than a gate part part 6b outside the recessed part 5 is provided in a gate part part 6a in the recessed part 5, and the gate part 6 is cut in the recessed part 5.例文帳に追加
ゲート痕7を凹部5内に残すには、凹部5内のゲート部部分6aに凹部5外のゲート部部分6bよりも厚みの薄い部分を設けることにより、ゲート部6を凹部5内で切断する。 - 特許庁
MEMORY DEVICE WITH RECESSED GATE STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
窪み付きゲート構造を有するメモリデバイス及びその製造方法 - 特許庁
A gate part 32 for injection molding is formed in the recessed part 31.例文帳に追加
前記凹部31内に射出成形用のゲート部32を設ける。 - 特許庁
SELF-ALIGNED METHOD FOR MAKING RECESSED GATE MOS TRANSISTOR DEVICE例文帳に追加
自己整合方式でリセスゲートMOSトランジスタ素子を製作する方法 - 特許庁
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「recessed gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 176件
This gate mark treatment device has a pressing part which modifies the gate mark so that the gate mark remaining in the recessed part does not protrude outwardly from the recessed part by pressing the pressing part to the recessed part formed on the surface of the injection moldings.例文帳に追加
射出成形品の表面に設けられているの凹状部に押し当てられることで、前記凹状部の中にあるゲート跡が前記凹状部より外へ突出しないように、前記ゲート跡を変形させる押圧部を備える - 特許庁
A recessed part 5 is provided on a face other than a sealing face 3 coming into close contact with the other member of two members, and a gate part 6 is provided in the recessed part 5 to leave the gate trace 7 after removing the gate part 6 in the recessed part 5.例文帳に追加
前記二部材のうちの他方の部材に密接するシール面3以外の面に凹部5を設け、凹部5にゲート部6を設けてゲート部6を除去したあとのゲート痕7を凹部5内に残すようにした。 - 特許庁
The gate hard mask layer, the metal layer, the gate polysilicon layer and a gate oxide film 155 are patterned to a gate mask to form the recessed gate 170.例文帳に追加
ゲートマスクにゲートハードマスク層、金属層、ゲートポリシリコン層及びゲート酸化膜155をパターニングしてリセスゲート170を形成する。 - 特許庁
Thereby current flowing through a top surface of the recessed portion of the gate electrode 7 at high concentration can flow uniformly through the entire trench portion 3, and the effective gate width of the recessed part formed to change the depth in the gate width direction is increased.例文帳に追加
これにより、ゲート電極7の凹部上面に集中して流れていた電流がトレンチ部3の全体に一様に流れるようになり、ゲート幅方向に深さが変化するように形成された凹部の実効的なゲート幅が広がる。 - 特許庁
The circumference of the gate part disposed on a bottom surface of a container body is surrounded by an annular recessed part, and a connection surface of the recessed part continuous to the gate part surface is inclined to the gate part surface.例文帳に追加
容器本体の底面に配設したゲート部の周囲を環状の凹部で囲み、ゲート部面に連続する凹部の接続面をゲート部面に対して傾斜させたことを特徴とする。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 11 having a recessed part 13 on the surface, a gate insulation film 20 formed along the recessed part 13, a gate electrode 21 formed on the gate insulation film 20, and a source 22 and a drain 23 formed on the surface of the semiconductor substrate 11 except the recessed part 13.例文帳に追加
表面に凹部13を有する半導体基板11と、この凹部13に沿って形成されたゲート絶縁膜20と、ゲート絶縁膜20上に形成されたゲート電極21と、凹部13以外の半導体基板11の表面に形成されたソース22及びドレイン23を有する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor element having an improved recessed transistor, in which the recessed transistor includes a recessed gate increased in the cannel length, and the recessed gate further includes a spherical recess for increasing the length of the lower portion of the recess.例文帳に追加
リセストランジスタがチャンネル長が増加したリセスゲートを含み、リセスゲートはリセス下部に長さを増加させるため、球形リセスをさらに含む改良されたリセストランジスタを備えた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A gate trench 6 recessed from the surface 31 is formed on the epitaxial layer 3.例文帳に追加
エピタキシャル層3には、その表面31から掘り下がったゲートトレンチ6を形成する。 - 特許庁
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