recessed gate structureとは 意味・読み方・使い方

On a section parallel to a word line, floating gate electrodes 5 having a split gate structure and control gate electrodes 7 are formed by bridging an upper surface of a P-type silicon substrate 1 and recessed parts 15, and sandwiching tunnel insulating films 4 for writing.例文帳に追加

ワード線に平行な断面において、Ｐ型シリコン基板１の上面と凹部１５とに跨って、書き込み用トンネル絶縁膜４を挟んで、スプリットゲート構造を有するフローティングゲート電極５及びコントロールゲート電極７が形成されている。 - 特許庁

To provide a structure capable of preventing variation in contact regions by forming active regions in a line shape and capable of separating adjacent transistors by using recessed gate electrodes.例文帳に追加

活性領域をライン上に形成することで、コンタクト領域のばらつきを抑制し、リセスゲート電極を用いて隣接するトランジスタ間の分離を行う構造を提供する。 - 特許庁

The embedded photodiode inside a picture element is formed in the protruding type structural region on the surface of a semiconductor substrate 1, or the transfer gate inside the picture element is formed on the recessed structure region on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

画素内部の埋め込みフォトダイオードが半導体基板表面の凸型構造領域に形成され、あるいは画素内部の転送ゲート構造が半導体基板表面の凹型構造領域に形成されている。 - 特許庁

To attain embedding performance and reduction in channel resistance for an inter-diffusion-layer isolation insulating film in a semiconductor device of a trench gate structure having diffusion layers and an inter-diffusion-layer isolation insulating film partly recessed, formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に形成された拡散層および拡散層間分離絶縁膜の一部がリセスされた溝ゲート構造を有する半導体装置において、拡散層間分離絶縁膜の埋設性とチャネル抵抗の低減を両立する。 - 特許庁

The field oxide areas adjacent to the transistor trenches are then recessed so that subsequently deposited polysilicon for gate structure formation can be polished relative to the adjacent and elevated silicon nitride.例文帳に追加

その後にデポジットされたポリシリコンであって、ゲート構造形成のためのポリシリコンを、隣接し隆起した窒化シリコン構造に対して研磨できるようにするため、このトランジスタトレンチに隣接するフィールド酸化物領域に窪みが設けられる。 - 特許庁

In this double-story row-house structure, the first story recessed part of a double-story house unit block of L-shape in plan view in which the main living portions of each house unit are formed of a single layer is surrounded by a fence or a planting and gate as an approach and dedicated garden used dedicatedly for each first story house unit.例文帳に追加

各住戸の主要な居住部分が単層からなる平面視Ｌ字形状の重層住戸ブロックの１階凹部を１階各住戸専用のアプローチ兼専用庭として垣もしくは植栽と門扉で囲み、上階の各住戸専用の玄関、屋内階段を１階に設ける。 - 特許庁

The nitride semiconductor device has a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer of a microcrystalline structure containing no aluminum on a substrate, and the gate electrode has a field plate portion which extends toward a drain in Schottky contact with the first nitride semiconductor layer exposed in a recessed portion formed by cutting part of the second nitride semiconductor layer or the second nitride semiconductor layer which is slightly left.例文帳に追加

基板上に、第１の窒化物半導体層と、アルミニウムを含まない微結晶構造の第２の窒化物半導体層とを備え、ゲート電極は、第２の窒化物半導体層の一部を切り欠き形成された凹部内に露出する前記第１の窒化物半導体層あるいはわずかに残した第２の窒化物半導体層にショットキ接触し、ドレイン側に延出するフィールドプレート部を備える。 - 特許庁