resistivity indexとは 意味・読み方・使い方

The antimony oxide-coated silica particulate has a refractive index of 1.35-1.60, a volume resistivity of 10-5,000 Ω/cm, an average particle size of 5-300 nm and a thickness of the antimony oxide coating layer of 0.5-30 nm.例文帳に追加

この酸化アンチモン被覆シリカ系微粒子の屈折率は１.３５〜１.６０の範囲にあり、体積抵抗値は１０〜５０００Ω／ｃｍの範囲にあり、平均粒子径は５〜３００ｎｍの範囲にあり、酸化アンチモン被覆層の厚さは０.５〜３０ｎｍの範囲にある。 - 特許庁

To provide a low resistivity light attenuation reflection preventing film which has a transparent surface conductive layer as a surface layer material of the film having eight oxide layers, having a high refractive index of 1.9-2.2 with reliability in mass-producing oxide thin films.例文帳に追加

本発明の主な目的は、８つの酸化物層を有する該フィルムの表層の材料が透過可能な導電層であって、１．９〜２．２の高屈折率を有し、酸化物薄フィルムを多量に生産するプロセスにおいて信頼的である透過可能な表面導電層を有する低抵抗光減衰反射防止フィルムを提供する。 - 特許庁

A nitride semiconductor layer including a plurality of group III elements is formed on an uneven surface of a substrate so that at least one of composition ratios of the group III elements in the nitride semiconductor layer, band gap energy, refractive index, electrical conductivity and resistivity is changed in the layer in response to unevenness of the substrate.例文帳に追加

複数のIII族元素を含む窒化物半導体層が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。 - 特許庁

By forming a nitride semiconductor layer 108 containing a plurality of group-III elements on a base body surface having a concave/convex structure, at least one among the composition ratio of the group-III elements, bandgap energy, refractive index, conductivity, and resistivity, of the nitride semiconductor layer 108, is changed in accordance with the concave/convex structure of the base body.例文帳に追加

複数のIII族元素を含む窒化物半導体層１０８が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層１０８におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。 - 特許庁

In a metallization polyimide film having two or more metal layers including at least a metal layer principally comprising Cu formed on at least one side of a polyimide film, surface metal index Asm calculated by IR-ATR method is ≥0.001 on the surface of the polyimide film after the metallization polyimide film is treated with sulphuric acid/hydrogen peroxide based etching reagent, and he surface resistivity is ≥1×10^13 Ω.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの少なくとも片面に少なくともＣｕを主体とする金属層を含む二層以上の金属層が形成された金属被覆ポリイミドフィルムにおいて、該金属被覆ポリイミドフィルムを硫酸／過酸化水素系エッチング試薬で処理したポリイミドフィルム表面のＩＲ−ＡＴＲ法から算出される表面金属指数Ａｓｍが０．００１以上、かつ表面抵抗率が１×１０^13Ω以上であることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム。 - 特許庁