second breakdownとは 意味・読み方・使い方

A second conductivity-type breakdown strength layer 13 is formed on a first conductivity-type drain layer 12, and a first conductivity-type conductive region 42 is formed partially into the breakdown strength layer 13 by diffusion from the surface of the breakdown strength layer 13.例文帳に追加

第１の導電型のドレイン層１２上に第２の導電型の耐圧層１３を形成し、耐圧層１３内に、耐圧層１３表面からの拡散によって、部分的に第１の導電型の導電領域４２を形成する。 - 特許庁

To suppress blemish or breakdown of a first case and a second case in a folding type portable device.例文帳に追加

折り畳み型の携帯機器において、第１の筐体および第２の筐体の傷つきや破壊を抑制する。 - 特許庁

The level converting circuit converts voltage amplitudes of first and second input signals to a second voltage from a first voltage employing high breakdown voltage elements.例文帳に追加

第１、第２の入力信号の電圧振幅を第１の電圧から第２の電圧へと変換させる高耐圧の素子を用いたレベル変換回路である。 - 特許庁

Also, the P channel type high breakdown transistor area is formed with a second oxide film 7B so that the protection of an offset part can be attained.例文帳に追加

また、Ｐチャネル型高耐圧トランジスタ領域に第２の酸化膜７Ｂを形成することで、オフセット部の保護を図る。 - 特許庁

The n^+-type semiconductor region 13, second easy breakdown region 17b, and capacitor electrode 20, form a MOS capacitor.例文帳に追加

Ｎ^＋型半導体領域１３と第２易破壊領域１７ｂとキャパシタ電極２０とはＭＯＳキャパシタを構成する。 - 特許庁

The protective circuit 12 is provided with a second semiconductor laser 13 having a surge breakdown voltage higher than that of the first semiconductor laser 11.例文帳に追加

この保護回路１２は第一の半導体レーザ１１よりサージ耐圧の高い第二の半導体レーザ１３を備える。 - 特許庁

The first, second, third and fourth MOS transistors TrA, TrB, TrC and TrD are composed of the MOS transistors of low breakdown voltage.例文帳に追加

これらの第１、第２，第３及び第４のＭＯＳトランジスタＴｒＡ，ＴｒＢ，ＴｒＣ，ＴｒＤは、低耐圧のＭＯＳトランジスタで構成されている。 - 特許庁

The insulating film 17 of semiconductor device 10 includes a first easy breakdown region 17a on the p-type semiconductor region 12 and a second easy breakdown region 17b on the n^+-type semiconductor region 13.例文帳に追加

半導体装置１０の絶縁膜１７は、Ｐ型半導体領域１２上に第１易破壊領域１７ａを備え、Ｎ^＋型半導体領域１３上に第２易破壊領域１７ｂとを備える。 - 特許庁