semiconductor injection laserとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor laser element which can inhibit malfunction (sudden death) of the semiconductor laser element due to heat generation associated with current injection.例文帳に追加

電流注入に伴う発熱に起因した半導体レーザ素子の動作不良（頓死）を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser whose laser characteristic is improved by raising current injection efficiency to an active layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

活性層への電流注入効率を高めてレーザ特性を改善した半導体レーザとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser equipment has: a current drive type semiconductor laser 2 utilizing emission light generated by current injection to an active layer 23 for laser oscillation as a pumping light source; and an optically pumped semiconductor laser 3 utilizing emission light generated by application of laser beams radiated from the current drive type semiconductor laser 2 to the active layer 34 for laser oscillation, as an optically pumped laser.例文帳に追加

励起光源として、活性層２３への電流注入によって生じる発光光を利用してレーザ発振する電流駆動型半導体レーザ２を備え、光励起レーザとして、電流駆動型半導体レーザ２から射出されたレーザ光の活性層３４への照射によって生じる発光光を利用してレーザ発振する光励起型半導体レーザ３を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor facet laser of a current injection type wherein oscillation threshold value is low and consumption power is small.例文帳に追加

発振閾値が低く、消費電力の少ない電流注入型半導体ファセットレーザを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device comprising a carrier stopper layer which hardly prevents the injection of a carrier into an active layer.例文帳に追加

活性層へのキャリアの注入を妨げにくいキャリアストッパー層を有する半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To detect/determine a wavelength of a laser beam emitted from an external-resonator-type semiconductor laser using a simple structure, and furthermore suppress injection of laser light in an disabled mode.例文帳に追加

簡単な構造を用いて外部共振器型半導体レーザから射出されるレーザ光の波長を検出・判定し、さらに使用不可モードのレーザ光の射出を抑制する。 - 特許庁

To provide an end face non-injection type semiconductor laser which increases an end face destruction level and improves long-term reliability, and a production method for the same with which such a semiconductor laser can be prepared with high productivity.例文帳に追加

端面破壊レベルが高く、長期信頼性に優れた端面非注入型半導体レーザ、及び、この半導体レーザを生産性良く作成出来る半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which is provided with a wide current injection stripe, hardly produces double peaks in a far-field pattern, and has a high optical output.例文帳に追加

ストライプ幅が広く、しかも遠視野像の複峰化が生じない光出力の高い半導体レーザ素子を適用する。 - 特許庁