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semiconductor-insulator transitionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 半導体‐絶縁体転移; Mott転移
「semiconductor-insulator transition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT CONTAINING RESISTOR OF METAL-INSULATOR TRANSITION FILM例文帳に追加
金属−絶縁体転移膜の抵抗体を含む半導体メモリ素子 - 特許庁
TWO-TERMINALS SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING RAPID METAL-INSULATOR TRANSITION SEMICONDUCTOR SUBSTANCE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
急激な金属−絶縁体転移半導体物質を利用した２端子半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
To provide a two-terminals semiconductor device utilizing a rapid metal-insulator transition semiconductor substance and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
急激な金属−絶縁体転移半導体物質を利用した２端子半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
According thereto, a field applied between the first and the second electrode films makes the rapid metal-insulator transition semiconductor substance generate a rapid metal-insulator transition, not a structural phase transition, by hole doping.例文帳に追加
これによれば、第１電極膜と第２電極膜との間に印加される電界によって急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属−絶縁体転移が発生する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device employing a metal-insulator phase transition material and a damage region is not formed in a part employing the metal-insulator phase transition material while the same part is formed of a single crystal, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
金属−絶縁体相転移材料を用いた半導体装置であって、当該金属−絶縁体相転移材料を用いた部分に損傷領域が形成されておらず、かつ、当該部分が単結晶である半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The two-terminals semiconductor device comprises: a first electrode film; a rapid metal-insulator transition semiconductor substance, arranged on the first electrode film, having an energy gap of 2 eV or less and holes within a hole level; and a second electrode film arranged on the rapid metal-insulator transition semiconductor substance.例文帳に追加
本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。 - 特許庁
The two-terminal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt metal-insulator transition (MIT) semiconductor material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor material layer.例文帳に追加
本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。 - 特許庁
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「semiconductor-insulator transition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
The electrical energy generator includes a plurality of nanowires made of a semiconductor material having piezoelectric characteristics; a semiconductor layer which is formed at one end of the nanowires and forms a p-n junction with the nanowires; and a contact layer which is in contact with the other end of the nanowires and made of a material having metal-insulator transition (MIT) characteristics.例文帳に追加
圧電特性を有する半導体物質からなる複数のナノワイヤと、該ナノワイヤの一端に形成される層であり、ナノワイヤとｐ−ｎ接合を形成する半導体層と、ナノワイヤの他端に接する層であり、金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）特性を有する物質からなるコンタクト層と、を含む電気エネルギー発生装置である。 - 特許庁
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