silicon‐acidの英語

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SILICON ACID NITRIDE FILM, AND PROGRAM例文帳に追加

シリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラム - 特許庁

Next, after a polysilicon film is deposited over the silicon oxide film 13a; silicon acid nitride film 13b, the polysilicon film, silicon oxide film 13a, and silicon acid nitride film 13b are patterned to form a gate insulating film 13x consisting of silicon oxide film to an nMISFET, and to form a gate insulating film 13y consisting of silicon acid nitride film to a pMISFET.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜１３ａ，シリコン酸窒化膜１３ｂの上にポリシリコン膜を堆積した後、ポリシリコン膜，シリコン酸化膜１３ａ及びシリコン酸窒化膜１３ｂをパターニングして、ｎＭＩＳＦＥＴにはシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１３ｘを形成し、ｐＭＩＳＦＥＴにはシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜１３ｙを形成する。 - 特許庁

A stopper film 7 formed of a silicon acid nitride film on a metal wiring layer 6 including Ti or Al.例文帳に追加

ＴｉまたはＡｌを含む金属配線層６の上に、シリコン酸窒化膜からなるストッパー膜７を形成する。 - 特許庁

The gate insulating film of the first MOS semiconductor element comprises a silicon oxide film 109, and a gate insulating film of the second MOS semiconductor element comprises a film having a silicon acid nitride film 105 and of a high dielectric thin film 107 formed on the silicon acid nitride film 105.例文帳に追加

第１ＭＯＳ型半導体素子のゲート絶縁膜をシリコン酸化膜１０９で構成し、第２ＭＯＳ型半導体素子のゲート絶縁膜を、シリコン酸窒化膜１０５とシリコン酸窒化膜１０５上に形成された高誘電体薄膜１０７とを有する膜で構成する。 - 特許庁

The method further comprises a step of forming a trench adjacent to the DRAM cells and a silicon acid nitriding isolation liner at either side of the DRAM cells.例文帳に追加

当該方法には、ＤＲＡＭセルに隣接するトレンチと、ＤＲＡＭセルのいずれかの側にあるシリコン酸窒化分離ライナーとを形成するステップが含まれる。 - 特許庁

A silicon acid nitride film 13b is formed in a pMISFET forming region Rpt by introducing nitride ion into a silicon oxide film 13a after the silicon oxide film 13a is formed to each MISFET forming region Rnt, Rpt.例文帳に追加

各ＭＩＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｔ，Ｒｐｔにシリコン酸化膜１３ａを形成した後、窒素イオンをシリコン酸化膜１３ａ内に導入することにより、ｐＭＩＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｔにおいて、シリコン酸窒化膜１３ｂを形成する。 - 特許庁