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silicon copperとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 けい素銅; 珪銅; 珪素銅

和英日本標準商品分類での「silicon copper」の意味

Silicon copper


「silicon copper」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 312



例文

COPPER CLAD SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD例文帳に追加

銅貼り窒化珪素回路基板 - 特許庁

METHOD TO APPLY COPPER PLATING TO SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウエハ—への銅めっき方法 - 特許庁

METHOD OF INCREASING ADHESION BETWEEN COPPER AND SILICON NITRIDE例文帳に追加

銅と窒化シリコンの付着性増強の方法 - 特許庁

REMOVAL TREATMENT METHOD FOR SILICON-CONTAINING COPPER ALLOY MATERIAL例文帳に追加

シリコン含有銅合金材の酸化膜除去処理方法 - 特許庁

Silicon-containing copper forming the silicon solid solution 106 is kept in a state in which silicon is introduced as an interstitial element or a substitutional element while the silicon-containing copper maintains a copper crystal structure (face-centered cubic lattice;lattice constant 3.6Å).例文帳に追加

シリコン固溶層106を構成するシリコン含有銅は、銅の結晶構造(面心立方格子;格子定数3.6オングストローム)を維持しつつ格子間元素または置換元素としてシリコンが導入された状態となっている。 - 特許庁

STABILIZED ALKAENE COPPER COMPLEX CONTAINING SILICON AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

安定化された珪素含有アルケン銅錯体及びその製造方法 - 特許庁

例文

A silicon nitride film 23 of several nm in thickness, the cavity 24 of 50 nm in width, a silicon nitride film 23, a silicon oxide film 25 containing carbon, a silicon nitride film 23, a cavity 24, a silicon nitride film 23, and copper wiring 22, are formed in order between the copper wirings 22.例文帳に追加

銅配線22の間には、数nmのシリコン窒化膜23、幅50nmの空洞24、シリコン窒化膜23、炭素含有シリコン酸化膜25、シリコン窒化膜23、空洞24、シリコン窒化膜23、銅配線22が順に形成されている。 - 特許庁

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機械工学英和和英辞典での「silicon copper」の意味

silicon copper


JST科学技術用語日英対訳辞書での「silicon copper」の意味

silicon copper


日英・英日専門用語辞書での「silicon copper」の意味

silicon copper

Wiktionary英語版での「silicon copper」の意味

silicon copper

出典:『Wiktionary』 (2025/03/22 22:36 UTC )

名詞

silicon copper (uncountable)

  1. An alloy of about two-thirds copper and one-third silicon, used to free molten copper or brass from oxygen.

「silicon copper」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 312



例文

A silicon nitride film 23 is formed above the copper wiring 22 and the silicon oxide film containing carbon.例文帳に追加

銅配線22および炭素含有シリコン酸化膜の上方にはシリコン窒化膜23が形成されている。 - 特許庁

A copper interconnect line 107 is composed of a silicon low-concentration region 104 and a silicon solid solution 106 provided on the silicon low-concentration region 104.例文帳に追加

銅配線107を、シリコン低濃度領域104と、その上部に設けられたシリコン固溶層106からなる構成とする。 - 特許庁

Further, in order to prevent the reaction of the copper with a silicon component, a copper compound layer is further formed under the copper layer.例文帳に追加

さらに、銅がシリコン成分と反応することを防止するために、銅層の下部に銅化合物層をさらに形成した構成を有している。 - 特許庁

To obtain a copper wiring board, provided with a copper thin film wiring firmly stuck to the surface of a silicon oxide-based glass substrate, quartz substrate, or a thin silicon oxide film.例文帳に追加

酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に強固に付着した銅薄膜配線を備えた銅配線基板を得る。 - 特許庁

METHOD OF RECYCLING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER WITH COPPER FILMS AND RECYCLED WAFER例文帳に追加

銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法および再生ウエーハ - 特許庁

To provide a method of growing a silicon wire using copper as a catalyst.例文帳に追加

本発明は、銅を触媒としてシリコンワイヤを成長する方法に関する。 - 特許庁

To provide a polishing method in which copper contamination of a wafer can be suppressed which may occur during polishing the wafer having the exposed copper or copper alloy surface and silicon surface.例文帳に追加

銅又は銅合金面とシリコン面が露出したウェーハの研磨時に起こりうるウェーハの銅汚染を抑えることが可能な研磨方法を提供する。 - 特許庁

例文

Thereafter, a thin copper film is formed on the silicon nitride layer by sputtering.例文帳に追加

しかる後この窒化珪素変質層の上に銅薄膜をスッパタリング成膜する。 - 特許庁

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