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意味・対訳 シリコンゲート

JST科学技術用語日英対訳辞書での「silicon gate」の意味

silicon gate

シリコンゲート

「silicon gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1974



例文

GATE SWITCH APPARATUS FOR AMORPHOUS SILICON LCD例文帳に追加

アモルファスシリコンLCDのゲートスイッチ装置 - 特許庁

SILICON CARBIDE INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

炭化珪素絶縁ゲート型半導体装置。 - 特許庁

TRENCH GATE TYPE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

トレンチゲート型炭化珪素半導体装置 - 特許庁

The n^--type gate silicon area 110 and n^+-gate silicon area 111 are etched away to obtain the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 which have been patterned.例文帳に追加

N^-型ゲートシリコン領域110及びN^+型ゲートシリコン領域111をエッチング除去し、パターニングされたN型ゲートシリコン層105及びP型ゲートシリコン層107を得る。 - 特許庁

A silicon film for a floating gate electrode adjacent to a gate insulating film is made to be a non-single crystal silicon film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に接する浮遊ゲート電極のシリコン膜を非単結晶のシリコン膜とする。 - 特許庁

SILICON FILM, SILICON FILM FORMING METHOD, GATE ELECTRODE, GATE ELECTRODE FORMING METHOD, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

シリコン膜、シリコン膜形成方法、ゲート電極、ゲート電極形成方法、及び電界効果トランジスタ - 特許庁

例文

FORMING METHOD OF SILICON NITRIDE OXIDE/GATE INSULATION FILM例文帳に追加

窒化酸化シリコン・ゲート絶縁膜の形成方法 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「silicon gate」の意味

silicon gate

シリコンゲート

「silicon gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1974



例文

A silicon film is formed on the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜上に、シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 4, a polycrystalline silicon film 5 for a floating gate electrode, and a silicon nitride film 8 are laminated and formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板1に、ゲート絶縁膜4、浮遊ゲート電極用の多結晶シリコン膜5、シリコン窒化膜8を積層形成する。 - 特許庁

To prevent a gate contact plug and a silicon substrate from short-circuiting.例文帳に追加

ゲートコンタクトプラグとシリコン基板とのショートを防ぐ。 - 特許庁

Thereafter, a silicon nitride film 7, a gate insulating film 5, and a gate electrode 6 are formed.例文帳に追加

この後、シリコン窒化膜7、ゲート絶縁膜5、ゲート電極6を形成する。 - 特許庁

A gate electrode is formed on the silicon substrate via a gate insulation film (S1).例文帳に追加

シリコン基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する(S1)。 - 特許庁

METHOD OF FORMING LOW TEMPERATURE POLY SILICON TFT GATE OXIDE FILM例文帳に追加

低温ポリシリコンTFTゲート酸化膜の形成方法 - 特許庁

HIGH PERMITTIVITY GATE OXIDE FOR SILICON SUBSTRATE DEVICE例文帳に追加

シリコン基材装置のための高誘電率ゲート酸化物 - 特許庁

例文

A gate line, a gate insulating film, a silicon layer, an impurity silicon layer and a conductor layer are deposited on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上にゲート線、ゲート絶縁膜、ケイ素層、不純物ケイ素層及び導電体層を積層する。 - 特許庁

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