siofとは 意味・読み方・使い方

A sidewall spacer 7 formed in the sidewall of a gate electrode 6 of an MISFET is constituted of an SiOF film.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極６の側壁に形成されるサイドウォールスペーサ７を、ＳｉＯＦ膜によって構成する。 - 特許庁

To prevent interfacial delamination between an etching stopper layer and an SiOF film which are used when a wiring trench for buried wiring is formed, in a semiconductor integrated circuit device where the buried wiring is formed in an interlayer dielectric containing the SiOF film by a damascene process.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。 - 特許庁

When Cu wiring 33 is embedded, by the damascene process, in the wiring trench 32 formed by dry-etching the interlayer dielectric containing the SiOF films 26, 29, an oxynitrided silicon film 27 is interposed between a silicon nitride film 28 constituting the etching stopper layer of the dry etching and the SiOF film 26, thereby trapping free F generated in the SiOF film 26 with the oxynitrided silicon film 27.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 - 特許庁

To form an insulating film with a lower dielectric constant than the dielectric constants of SiO2 and SiOF used as an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いられているＳｉＯ_2、ＳｉＯＦよりも比誘電率の低い絶縁膜をシリコン基板に形成する。 - 特許庁

The manufacturing method includes steps of forming an SiOF film 102 on a substrate 101, forming an opening for wiring formation in the SiOF film, removing fluorine contained in the SiOF film from a surface of the opening, subjecting the fluorine-removed surface of the opening to an oxygen plasma process, and providing wiring metals 104 and 105 to the opening.例文帳に追加

基板１０１上にＳｉＯＦ膜１０２を形成するステップと、前記ＳｉＯＦ膜に配線形成用の開口部を形成するステップと、前記ＳｉＯＦ膜に形成された前記開口部の表面から該ＳｉＯＦ膜に含まれるフッ素を除去するステップと、前記フッ素が除去された前記開口部の表面に酸素プラズマ処理を行うステップと、前記開口部に配線用の金属１０４，１０５を設けるステップとを備えている。 - 特許庁

Wiring layers 2 are formed on a semiconductor substrate 1 and thereafter, an SiOF film 3 is formed on the whole surface of the substrate 1 by an HDP(High Density Plasma)-CVD method.例文帳に追加

半導体基板１上に配線層２を形成した後、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により全面にＳｉＯＦ膜３を形成する。 - 特許庁

There are some cases that the silicon oxide used there is formed by burying a TEOS oxidized film, an HDP oxidized film or the SiOF film of a small permittivity.例文帳に追加

ここで使用されるシリコン酸化物は、ＴＥＯＳ酸化膜やＨＤＰ酸化膜、また誘電率の小さなＳｉＯＦ膜を埋め込むことで形成する場合もある。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁