「siof」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The layer 46 is constituted of a BPSG film 46a and an SiOF film 46b.例文帳に追加

層間絶縁膜は、ＢＰＳＧ膜４６ａと、ＳｉＯＦ膜４６ｂとから構成される。 - 特許庁

For example, a silane-based plasma SiN or either of SiO, SiON and SiOF is stacked at 100 nm.例文帳に追加

例えばシラン系プラズマＳｉＮもしくはＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＯＦのいずれかを１００ｎｍ堆積する。 - 特許庁

A sidewall spacer 7 formed in the sidewall of a gate electrode 6 of an MISFET is constituted of an SiOF film.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極６の側壁に形成されるサイドウォールスペーサ７を、ＳｉＯＦ膜によって構成する。 - 特許庁

To prevent interfacial delamination between an etching stopper layer and an SiOF film which are used when a wiring trench for buried wiring is formed, in a semiconductor integrated circuit device where the buried wiring is formed in an interlayer dielectric containing the SiOF film by a damascene process.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。 - 特許庁

When Cu wiring 33 is embedded, by the damascene process, in the wiring trench 32 formed by dry-etching the interlayer dielectric containing the SiOF films 26, 29, an oxynitrided silicon film 27 is interposed between a silicon nitride film 28 constituting the etching stopper layer of the dry etching and the SiOF film 26, thereby trapping free F generated in the SiOF film 26 with the oxynitrided silicon film 27.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 - 特許庁

To form an insulating film with a lower dielectric constant than the dielectric constants of SiO2 and SiOF used as an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いられているＳｉＯ_2、ＳｉＯＦよりも比誘電率の低い絶縁膜をシリコン基板に形成する。 - 特許庁

The manufacturing method includes steps of forming an SiOF film 102 on a substrate 101, forming an opening for wiring formation in the SiOF film, removing fluorine contained in the SiOF film from a surface of the opening, subjecting the fluorine-removed surface of the opening to an oxygen plasma process, and providing wiring metals 104 and 105 to the opening.例文帳に追加

基板１０１上にＳｉＯＦ膜１０２を形成するステップと、前記ＳｉＯＦ膜に配線形成用の開口部を形成するステップと、前記ＳｉＯＦ膜に形成された前記開口部の表面から該ＳｉＯＦ膜に含まれるフッ素を除去するステップと、前記フッ素が除去された前記開口部の表面に酸素プラズマ処理を行うステップと、前記開口部に配線用の金属１０４，１０５を設けるステップとを備えている。 - 特許庁

Wiring layers 2 are formed on a semiconductor substrate 1 and thereafter, an SiOF film 3 is formed on the whole surface of the substrate 1 by an HDP(High Density Plasma)-CVD method.例文帳に追加

半導体基板１上に配線層２を形成した後、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により全面にＳｉＯＦ膜３を形成する。 - 特許庁

There are some cases that the silicon oxide used there is formed by burying a TEOS oxidized film, an HDP oxidized film or the SiOF film of a small permittivity.例文帳に追加

ここで使用されるシリコン酸化物は、ＴＥＯＳ酸化膜やＨＤＰ酸化膜、また誘電率の小さなＳｉＯＦ膜を埋め込むことで形成する場合もある。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

On a top wiring layer 39 provided with a bonding pad 40, a fluorine-containing silicon oxide film (SiOF) is provided which is formed by a CVD method as an interposing layer 41 containing fluorine.例文帳に追加

ボンディングパッド４０が設けられる最上層の配線層３９の上に、フッ素を含んだ介在層４１としてＣＶＤ法によりよって形成されたフッ素含有酸化シリコン膜（ＳｉＯＦ）を設ける。 - 特許庁

In this manufacture, a first layer metallic wiring 2, an SiOF film 3, and an F diffusion preventing film 6 are formed on the surface of the base layer 1 including a substrate, an element made on the substrate, and an insulating layer formed to cover the substrate and the element.例文帳に追加

基板と基板上に形成された素子と基板及び素子を覆うように形成された絶縁層とを含む下地層１の表面に、第１層金属配線２と、ＳｉＯＦ膜３と、Ｆ拡散防止膜６とを形成する。 - 特許庁

As the fluoride powder, one or a combination comprising two or more kinds selected from CaF_2, LiF, AlF_3, BaF_2, MgF_2, SrF_2, HfF_4, LaF_3, PrF_3, ZrF_4, NdF_3, CeF_3, YbF_3, YF_3 and SiOF is suitably used.例文帳に追加

前記フッ化物粉としては、ＣａＦ_２ ，ＬｉＦ，ＡｌＦ_３ ，ＢａＦ_２ ，ＭｇＦ_２ ，ＳｒＦ_２ ，ＨｆＦ_４ ，ＬａＦ_３ ，ＰｒＦ_３ ，ＺｒＦ_４ ，ＮｄＦ_３ ，ＣｅＦ_３ ，ＹｂＦ_３ ，ＹＦ_３ ，ＳｉＯＦから選択される１つ、あるいは２つ以上の組み合わせが好適に用いられる。 - 特許庁

The insulating film 120 has a two-layer structure wherein a B layer 112 containing a non-borazine compound such as SiOF or organic SOG and an A layer 111 containing a borazine compound are laminated in this sequence alternately on a silicon wafer 100 having a silicon base layer.例文帳に追加

絶縁被膜１２０は、シリコン基層を有するシリコンウェハ１００上に、ＳｉＯＦ、有機ＳＯＧ等の非ボラジン化合物を含むＢ層１１２と、ボラジン化合物を含むＡ層１１１とがこの順に交互に積層された２層構造を成すものである。 - 特許庁

When an inorganic coat insulating film comprising Si-H combination is formed, it is baked in an atmosphere and its dielectric constant ε is made concentration is lowered lower than of an SiOF film.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｈ結合を含む無機系の塗布型絶縁膜を形成する際に、酸素濃度を低下させた雰囲気中で上記塗布型絶縁膜を焼成し、形成される塗布型絶縁膜の比誘電率εをＳｉＯＦ膜の比誘電率よりも低比誘電率とする。 - 特許庁

To provide a plasma CVD method for forming a film and a plasma CVD device, which enable the adhesion of an insulating film such as an SiOF film having poor adhesiveness to a metal component such as wiring or a ferroelectric capacitor in a semiconductor element, and to provide the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子中の配線や強誘電体キャパシタなどの金属構成部に対して、ＳｉＯＦ膜などの密着性の悪い絶縁膜を密着させることができるプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ装置並びに半導体素子を提供する - 特許庁

In forming the insulating film (SiOF film) 34 to an Al wiring 32, firstly, an adhesive film (SiOX film) 33 having high adhesiveness to the Al wiring and the insulating film is formed so as to cover the Al wiring, and then the insulating film is formed so as to cover the adhesive film.例文帳に追加

Ａｌ配線３２に絶縁膜（ＳｉＯＦ膜）３４を施す際には、まず、Ａｌ配線と絶縁膜とに対して密着性の高い密着膜（ＳｉＯ_x 膜）３３を、Ａｌ配線を覆うように形成し、その後、この密着膜を覆うようにして絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a low dielectric film by vacuum ultraviolet CVD in which an insulation film having low dielectric film quality equivalent to or better than that of an Si based organic film (SiOF film, SiOC film) formed by plasma CVD can be deposited at a temperature not higher than 350°C.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによるＳｉ系有機膜（ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＣ膜）と同等以上の低誘電体膜質を持つ絶縁膜を、３５０℃以下の低温にて製造することができる真空紫外光ＣＶＤによる低誘電体膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Likewise, in forming the insulating film (SiOF film) to the ferroelectric capacitor, the adhesive film (SiOX film) having high adhesiveness to electrodes of the ferro- electric capacitor and the insulating film is firstly formed so as to cover the ferroelectric capacitor, and then the insulating film is formed so as to cover the adhesive film.例文帳に追加

強誘電体キャパシタに絶縁膜（ＳｉＯＦ膜）を施す際にも、同様に、まず、強誘電体キャパシタの電極と絶縁膜とに対して密着性の高い密着膜（ＳｉＯ_x 膜）を、強誘電体キャパシタを覆うように形成し、その後、この密着膜を覆うようにして絶縁膜を形成する。 - 特許庁