spin exchange effectとは 意味・読み方・使い方

To provide a magnetoresistive effect element and a magnetoresistive effect head which can sufficiently obtain spin dependent scattering without lowering an exchange coupling magnetic field between a diamagnetic layer and a fixed layer and has higher GMR effect than usual.例文帳に追加

反強磁性層と固定層の交換結合磁界が低下することなく、スピン依存散乱を十分に得ることができ、従来よりもＧＭＲ効果が高い磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect thin-film magnetic head which can enhance the intensity of the exchange coupling magnetic field of an SV-GMR (spin valve-type magnetoresistance effect) element, the magnetoresistance change rate of the element and the heat-resistant stability of the element, can be formed by a simple process.例文帳に追加

SV-GMR素子の交換結合磁界強度を向上させ、磁気抵抗変化率を向上させ、さらに耐熱安定性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを簡易なプロセスで形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure can prevent diffusion of an element such as Ge in a reference layer while keeping exchange coupling between the reference layer and other layer, in a spin valve film of a CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。 - 特許庁

The spin valve type huge magnetoresistance effect element comprises a first antiferromagnetic layer 1, a fixed magnetic layer 2 connected to the first antiferromagnetic layer 1, a nonmagnetic conductive layer 3, a free magnetic layer 4 changing in the magnetizing direction by the signal magnetic field, and a second antiferromagnetic spacer layer 22 to be long distance exchange connected to the magnetic layer 4 via the spacer layer 21.例文帳に追加

第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２とを有する構成とする。 - 特許庁