stripe laserとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor laser device has three mesa stripe sections per device.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、素子１個当たり３本のメサストライプ部を有している。 - 特許庁

To provide a broad stripe semiconductor laser element of stable NFP having high optical output efficiency by effectively confining horizontal multi-mode laser beams in a stripe region.例文帳に追加

横多モードレーザ光をストライプ領域に有効に閉じ込め、ＮＦＰの安定な高光出力効率のブロードストライプ型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser element 70 is provided with a ridge stripe 30 including a second p-type clad layer formed in ridge stripe.例文帳に追加

半導体レーザ素子７０は、リッジストライプ状に形成された第２ｐ型クラッド層を含むリッジストライプ３０を備えている。 - 特許庁

Distance B_1 between the laser stripe 42A and the laser side end section of the n-side electrode 52B should be 150 μm or less, and distance B_2 between the laser stripe 42D and the laser side end section of the n-side electrode 52B should be 150 μm or less.例文帳に追加

レーザストライプ４２Ａとｎ側電極５２Ｂのレーザ側端部との距離Ｂ_1 は、１５０μｍ以下であり、レーザストライプ４２Ｄとｎ側電極５２Ａのレーザ側端部との距離Ｂ_2 は、１５０μｍ以下である。 - 特許庁

A first interval W1 between the end 28b of the first recess 28 and a laser stripe is smaller than a second interval W2 between the end 30b of the second recess 30 and the laser stripe.例文帳に追加

第１の凹部２８の端部２８ｂとレーザストライプとの第１の間隔Ｗ１は、第２の凹部３０の端部３０ｂとレーザストライプとの第２の間隔Ｗ２より小さい。 - 特許庁

To provide refractive index guide-type inner stripe nitride laser diode structure.例文帳に追加

屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造を提供することである。 - 特許庁

Each of semiconductor laser elements is provided with a laser stripe 18 on a mesa 16 and has a p-side electrode 20, on a ridge stripe and an n-side electrode 22 on a contact layer by the side of the mesa.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、レーザストライプ１８をメサ１６上に備え、リッジストライプ上にｐ側電極２０を、メサ脇のコンタクト層上にｎ側電極２２を有する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element array 2, a first laser part 3 emitting laser beam of 650 nm and a second laser part 4 emitting laser beam of 780 nm are provided to a stripe-shaped recessed part 1a and a stripe-shaped protruding part 1b formed on a GaAs substrate 1, respectively.例文帳に追加

本半導体レーザ素子アレイ２は、ＧａＡｓ基板１上に形成されたストライプ状凹部１ａとストライプ状凸部１ｂとに、それぞれ、６５０ｎｍのレーザ光を発する第１レーザ部３と、７８０ｎｍのレーザ光を発する第２レーザ部４とを備える。 - 特許庁