The mask material used in dry etching magnetic materials with mixed gas of carbon monoxide and a compound including nitrogen is characterized in consisting of a metal (either of tantalum, tungsten, zirconium, or hafnium) of which the melting point or the boiling point rises when the material changes into a nitride or a carbide.例文帳に追加

一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用し磁性材料をドライエッチングする際のマスク用材料において、当該材料が窒化物あるいは炭化物に変化したときに融点又は沸点が上昇する金属（タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウムのいずれか）からなることを特徴とするドライエッチング用マスク材によって課題を解決した。 - 特許庁

The precipitate for a sputtering target is obtained by providing at least the surface of the particle of an element and/or a compound composing a sputtering target with at least one oxide selected from the group consisting of silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, zinc oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, indium oxide, stannic oxide, lanthanum oxide, tantalum pentoxide and lead monoxide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを構成する元素および／または化合物の少なくとも粒子の表面に、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化ランタン、五酸化タンタルおよび一酸化鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化物を有することを特徴とするスパッタリングターゲット用沈殿物とする。 - 特許庁