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threading dislocationとは 意味・読み方・使い方
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「threading dislocation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 52件
The threading dislocation density D_12 of a second area 15b is larger than the threading dislocation density D_1.例文帳に追加
第2の領域15bは貫通転位密度D_1より大きい貫通転位密度D_12を有する。 - 特許庁
The threading dislocation 3 having a dislocation line in the [0001] c-axis direction is vertical to the direction of the dislocation line of the basal plane dislocation, so that the threading dislocation 3 can not be an extension dislocation in C-plane, and stacking dislocation is not generated.例文帳に追加
[0001]c軸方向に転位線を持つ貫通転位3は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、C面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。 - 特許庁
In this SiC semiconductor unit, the direction of the dislocation line of threading dislocation 3 is aligned so that the angle θ between the direction of the dislocation line of threading dislocation 3 and [0001]c axis becomes not greater than 22.5°.例文帳に追加
貫通転位3の転位線の方向が揃えられ、貫通転位3の転位線の方向と[0001]c軸との為す角度θが22.5°以下となるようにする。 - 特許庁
The direction of the dislocation line of the threading dislocation 3 is arranged to make the direction of the threading dislocation 3 parallel to [0001] c-axis.例文帳に追加
貫通転位3の転位線の方向が揃えられ、貫通転位3の転位線の方向と[0001]c軸とが平行となるようにする。 - 特許庁
To define the direction of the dislocation line of a threading dislocation to suppress the deterioration of a device characteristics and the lowering of yield.例文帳に追加
デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する。 - 特許庁
Since the threading dislocation 3 having the dislocation line in the direction of [0001]c axis is perpendicular to the direction of the dislocation line of basal surface dislocation, it does not become an extended dislocation in surface C and does not generate stacking fault.例文帳に追加
[0001]c軸方向に転位線を持つ貫通転位3は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、C面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。 - 特許庁
To provide a method of prescribing the direction of the dislocation line of threading dislocation to restrain deterioration of device characteristic and lowering of yield.例文帳に追加
デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する方法を提供する。 - 特許庁
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「threading dislocation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 52件
The third region 15c has the threading dislocation density D_13 smaller than that D_1.例文帳に追加
第3の領域15cは貫通転位密度D_1より小さい貫通転位密度D_13を有する。 - 特許庁
The threading dislocation densities D_11, D_13 of a first area 15a and a third area 15c in a first conductive nitride gallium semiconductor layer 15 are smaller than the threading dislocation density D_1.例文帳に追加
第1導電型窒化ガリウム系半導体層15の第1及び第3の領域15a、15cはそれぞれ貫通転位密度D_1より小さい貫通転位密度D_11、D_13を有する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LOW THREADING DISLOCATION AND IMPROVED LIGHT EXTRACTION, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
貫通転位が低く、光取り出しが改善された半導体デバイス、および該半導体デバイスの製造方法 - 特許庁
The first region 15a has the threading dislocation density D_11 smaller than that D_1.例文帳に追加
第1の領域15aは貫通転位密度D_1より小さい貫通転位密度D_11を有する。 - 特許庁
To provide a large diameter GaN-based semiconductor substrate with little threading dislocation, and to provide method of manufacturing the same.例文帳に追加
大口径で貫通転位の少ないGaN系半導体基板、その製造方法および半導体素子を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor substrate for reducing threading dislocation with excellent crystallinity.例文帳に追加
結晶性がよく、貫通転位を低減させた窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
In this way, the SiC growth layer 4 having the surface including no threading screw dislocation 1a can be obtained.例文帳に追加
これにより、貫通らせん転位1aが存在しない表面を有するSiC成長層4を得ることが可能となる。 - 特許庁
To provide a process of producing a GaN substrate which has a low threading dislocation density and in the surface of which no dislocation bundle exists and in which no disturbance of the cleavage face is caused.例文帳に追加
貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供する。 - 特許庁
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