threading dislocationsとは 意味・読み方・使い方

Therefore, threading dislocations can be eliminated also from a p-type electrode side.例文帳に追加

したがって、ｐ型電極側からも、貫通転位を無くすことができる。 - 特許庁

To provide a diamond thin film structure having sufficiently low density of lamination defects and threading dislocations, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

By using this phenomenon to discharge the threading dislocation 3 from a side face of the epitaxial film, threading dislocations 3 can be almost completely eliminated from the growth surface of the epitaxial film 2.例文帳に追加

このため、この現象を利用し、エピタキシャル膜２の側面から貫通転位３を排出させることにより、エピタキシャル膜２の成長表面から貫通転位３をほぼ無くすことが可能となる。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal in which threading dislocations are reduced by a crystal growth method using an alkali metal as a flux.例文帳に追加

アルカリ金属をフラックスとして用いた結晶成長方法によって貫通転位を低減したＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer may include a seed layer disposed proximal to the surface of the semiconductor layer and having the threading dislocations uniformly distributed therein.例文帳に追加

この半導体層は、半導体層の表面に近接して位置するシード層、およびそこに均一的に分布するレッディング転位を有することを含み得る。 - 特許庁

Therefore, without performing sequential lamination of p-layers and n-layers, the SiC single crystal capable of reducing threading screw dislocations can be produced while suppressing transfer of polymorphism and dislocation.例文帳に追加

したがって、ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal capable of reducing threading dislocations while suppressing transfer of polymorphism and dislocation without performing sequential lamination of p-layers and n-layers.例文帳に追加

ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁