thyristor formとは 意味・読み方・使い方

Memory cells, consisting of a thyristor TH with an MIS gate and an MISFET-Q are arranged in a matrix form.例文帳に追加

ＭＩＳゲート付きサイリスタＴＨとＭＩＳＦＥＴ−Ｑからなるメモリセルがマトリクス配列される。 - 特許庁

To form a thyristor or SCR whose discharging efficiency is satisfactory when static electricity is impressed in a semiconductor device using an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、静電気が印加された場合に放電効率の良いサイリスタやＳＣＲの形成を可能にする。 - 特許庁

To make it possible to form an n-type region of a thyristor RAM formed by a PNPN junction by means of an epitaxial growth film in which phosphorus (P) is doped.例文帳に追加

ＰＮＰＮ接合で形成されるサイリスタＲＡＭのｎ型領域をリン（Ｐ）がドープされたエピタキシャル成長膜で形成することを可能にする。 - 特許庁

The thyristor switches 3a and 3b and a field discharge resistor 5 are connected in series by the changeover switch 12 to form a field discharge circuit 110 which is connected in parallel with the field winding 1.例文帳に追加

そして、切り替えスイッチ１２により、サイリスタスイッチ３ａ，３ｂと界磁放電抵抗５とを直列に接続し、界磁巻線１に並列に接続される界磁放電回路１１０を形成する。 - 特許庁

In the p-type base layer 4, a shallow diffusion-formed n-type source layer 10 is provided to prevent the thyristor from latching up, and the p-type drain layer 9 and the n-type source layer 10 are simultaneously contacted to form a cathode electrode 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層４には、サイリスタがラッチアップしないように浅く拡散形成されたｎ型ソース層１０が設けられ、カソード電極１１はｐ型ドレイン層９とｎ型ソース層１０に同時にコンタクトして形成される。 - 特許庁

The wiring substrate 50 comprising a member with a heat insulating property conducts the heat generated by the light emitting elements 20 to the light blocking member 40 and light outputting member 30 side, and further conducts the same form the light outputting member 30 to the thyristor film 10.例文帳に追加

配線基板５０は断熱性を有する部材から構成し、発光素子２０の発生熱を遮光部材４０及び光導出体３０の側へ伝熱させ、光導出体３０からサイリスフィルム１０へ伝熱させる。 - 特許庁

By altering the layout of the respective regions of the semiconductor device, the resistances among the respective regions are set properly, and thereby, the holding voltage and the switching voltage of the thyristor can be optimized independently of each other, and as a result, a proper protecting element and a proper protecting circuit for preventing the electrostatic breakdowns of transistors formed in a CMOS process are made form-able.例文帳に追加

レイアウトの変更により、各領域間の抵抗を適切に設定し、それによってサイリスタのホールディング電圧とスイッチング電圧を独立に最適化可能となり、ＣＭＯＳプロセスで形成されるトランジスタの静電破壊を防ぐための適切な保護素子および保護回路を形成することが可能となる。 - 特許庁