trimethylvinylsilaneとは 意味・読み方・使い方

The copper raw material solution consists of a raw material content and water, the raw material content contains Cu (hfac) tmvs hexafluoroacetylacetonatocopper (I) trimethylvinylsilane ≥90 wt.%.例文帳に追加

銅原料液は、原料成分と水とからなり、原料成分は９０重量％以上のＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓを含む。 - 特許庁

Copper β-ketoiminato complex can be obtained from a β-ketoimine, e.g. obtained from 2,4-pentanedione and methylamine, and copper chloride, butyllithium and trimethylvinylsilane.例文帳に追加

例えば２，４−ペンタンジオンとメチルアミンより得たβ−ケトイミンと塩化銅、ブチルリチウム、トリメチルビニルシランより銅β−ケトイミナート錯体を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for depositing copper having a blend of the precursor of trimethylvinylsilane copper increasing stability on a wafer and to obtain the low specific resistance of copper.例文帳に追加

安定性を増大するトリメチルビニールシラン銅の先駆物質のブレンドを有する銅をウエハ上に堆積する方法及び低い銅の固有抵抗を得ること。 - 特許庁

A copper adhesive layer is deposited on a substrate by feeding a raw material gas consisting of an organic compound of copper (for example, copper hexafluoroacetylacetonate-trimethylvinylsilane [Cu(hfac)TMVS]) in a state in which steam is present in a treatment vessel with the substrate being placed therein.例文帳に追加

基板が載置された処理容器内に水蒸気が存在する状態で、銅の有機化合物（例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）からなる原料ガスを供給して基板上に銅の密着層を形成する。 - 特許庁

As the compound which comes to the main part, 1,1,3,3,3-pentamethyl-vinyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-3-phenylvinyldisiloxane, 1,1,3-trimethyl-3,3-diphenylvinyldisiloxane, trimethylvinylsilane, dimethylphenylvinylsilane, 1,3,3,5,5-pentamethyl-3,5-diphenylvinyltrisiloxane, and triethoxyvinylsilane are used.例文帳に追加

要部となる化合物としては、1,1,3,3,3-ペンタメチル-ビニルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-3-フェニルビニルジシロキサン、1,1,3-トリメチル-3,3-ジフェニルビニルジシロキサン、トリメチルビニルシラン、ジメチルフェニルビニルシラン、1,3,3,5,5-ペンタメチル-3,5-ジフェニルビニルトリシロキサン、およびトリエトキシビニルシランを用いた。 - 特許庁

The film of copper having improved characteristics is deposited from the precursor of organic copper of a blend of copper, hexafluoroacetylacetonate, trimethylvinyl-silane and about 1.0 to 5.0 wt.% trimethylvinylsilane vaporized in a vaporizer 14 and passed through a chemical vapor deposition chamber by chemical vapor deposition.例文帳に追加

改善された特性を有する銅の膜が、銅、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、トリメチルビニールシラン及び気化器において気化され、化学気相堆積チャンバに通過された約１.０〜５.０重量％のトリメチルビニールシランのブレンドの有機銅の先駆物質から、化学気相堆積によって堆積される。 - 特許庁