twin elementsとは 意味・読み方・使い方

The twin MONOS cell stores memory in two nitride memory cell elements.例文帳に追加

ツインＭＯＮＯＳセルは、２つの窒化膜メモリセル要素の中にメモリを蓄積する。 - 特許庁

All reflective elements 41A to 46A, the twin loop radiator 10A and waveguide elements 21A, 22A of the antenna device 1A are formed into a round bar shape.例文帳に追加

アンテナ装置１Ａの反射素子４１Ａ〜４６Ａ、双ループ放射器１０Ａおよび導波素子２１Ａ，２２Ａは、いずれも棒状に構成されている。 - 特許庁

In an antenna device 1A, waveguide elements 21A, 22A, a twin loop radiator 10A and reflective elements 41A to 46A are attached to an antenna arm 51A in this order.例文帳に追加

アンテナ装置１Ａは、アンテナアーム５１Ａに、導波素子２１Ａ，２２Ａと、双ループ放射器１０Ａと、反射素子４１Ａ〜４６Ａとが、この順に取り付けられている。 - 特許庁

This memory has a memory cell array region in which a plurality of twin memory cells having one word gate and first and second non-volatile memory elements controlled by first and second control gates are arranged.例文帳に追加

１つのワードゲートと、第１，第２のコントロールゲートにより制御される第１，第２の不揮発性メモリ素子とを有するツインメモリセルを、複数配列してなるメモリセルアレイ領域を有する。 - 特許庁

The twin memory cell 312 has first and second non-volatile memory elements 108A, 108B which are controlled by a word gate 104 and controlled respectively by first and second control gates 106A, 106B.例文帳に追加

ツインメモリセル３１２は、１つのワードゲート１０４と、第１，第２のコントロールゲート１０６Ａ，１０６Ｂにより制御される第１および第２の不揮発性メモリ素子１０８Ａ，１０８Ｂとを有する。 - 特許庁

The acceleration sensor 1 comprises a base provided with three orthogonal vibration fixing surfaces 21 to 23; a weight 3 of cube of prescribed mass having mutually orthogonal three element joining surfaces 31 to 33; and three twin tuning fork piezoelectric vibration elements 4 to 6.例文帳に追加

加速度センサ１は、直交する３つの振動取付面２１〜２３を有するベースと、互いに直交する３つの素子接合面３１〜３３を有する所定質量の立方体からなるウエイト３と、３つの双音叉圧電振動素子４〜６とを有する。 - 特許庁

In a memory cell of a twin-cell-style DRAM, access transistors 22 are arranged adjacent to side faces of a capacitor 21 and the access transistors 22 are integrated with the capacitor 21 to form the memory cell, whereby an extra area between elements is eliminated, and the memory cell can be miniaturized.例文帳に追加

ツインセル方式のＤＲＡＭのメモリセル内において、キャパシタ２１の側面にアクセストランジスタ２２を隣接させ、キャパシタ２１とアクセストランジスタ２２を一体化させてメモリセルを形成することにより素子間の余分な面積を省き、メモリセルを微細化することができる。 - 特許庁