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「ultra shallow」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
ANNEALING METHOD AND METHOD AND DEVICE FOR FORMING ULTRA-SHALLOW JUNCTION LAYER例文帳に追加
アニール方法、極浅接合層形成方法および極浅接合層形成装置 - 特許庁
METHOD FOR DETERMINING ELECTRICALLY ACTIVE DOPANT DENSITY PROFILE IN ULTRA-SHALLOW JUNCTION (USJ) STRUCTURE例文帳に追加
極浅接合（ＵＳＪ）構造の電気活性ドーパント密度プロファイルを判定する方法 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an ultra shallow junction surface of nano size capable of obtaining a control of preferable manufacturing process and a reliability of an element and inhibiting the defective due to implantation of an ion.例文帳に追加
好ましい製造工程の制御と、素子の信頼性とが得られ、イオン打ち込みによる欠陥を抑制するナノサイズ極浅接合面の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide ultra shallow junction having a low resistance, which is an electrically active layer, without crystal defects by having a semiconductor substrate surface irradiated with a laser pulse obtained by optimizing the pulse waveform.例文帳に追加
パルス波形を最適化したレーザパルスを半導体基板表面に照射することにより、結晶欠陥のなく電気的に活性な層である低抵抗の極浅接合を得る。 - 特許庁
The ultra-shallow high-concentration LDD region 15b provided below the sidewall 14 can suppress depletion owing to the hot carriers even if the hot carriers are accumulated on the sidewall 14.例文帳に追加
サイドウォール１４の下に極浅の高濃度ＬＤＤ領域１５ｂを設けることにより、たとえサイドウォール１４にホットキャリアが蓄積されても、それによる空乏化を抑えることが可能になる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion layer having an ultra-shallow junction without causing the depletion of a gate electrode and deterioration in the reliability of a gate insulating film.例文帳に追加
ゲート電極の空乏化や、ゲート絶縁膜の信頼性低下を招くことなく、極浅い接合を有する不純物拡散層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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「ultra shallow」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
To realize source drain diffusing layer by extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution which cannot be realized in the conventional solid-phase growth with the liquid phase growth without giving any adverse effect on the gate electrode and also realize low power consumption, large current and high-speed operation of an ultra-fine semiconductor device.例文帳に追加
従来の固相成長では実現不可能な極浅矩形高濃度不純物分布によるソース・ドレイン拡散層をゲート電極に影響を及ぼすことなく液相成長により実現させ、超微細半導体装置の低消費電力、大電流化、および高速動作化を実現させる。 - 特許庁
A low-concentration LDD region 15a and an ultra-shallow high-concentration LDD region 15b spaced from a region immediately below a gate electrode 13 are formed on a sidewall 14 formed on the side wall of the gate electrode 13, and source-drain regions 16 are formed outside these.例文帳に追加
ゲート電極１３の側壁に形成されたサイドウォール１４の下に、低濃度ＬＤＤ領域１５ａと、極浅でかつゲート電極１３直下の領域から離して高濃度ＬＤＤ領域１５ｂを形成し、これらの外側にソース・ドレイン領域１６を形成する。 - 特許庁
To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process.例文帳に追加
イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。 - 特許庁
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