v plとは 意味・読み方・使い方

To provide a manufacturing method of a group III-V compound semiconductor substrate, capable of improving the PL strength of the group III-V compound semiconductor substrate.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体基板のＰＬ強度を向上できるIII−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, with the use of corrected DP', Ec' and Rp', the optimum conditions of laser power PL, a beam radius Wf and a scanning speed V are calculated (S204).例文帳に追加

次に、補正したＤP’、Ｅc’及びＲp’を用いて、レーザパワーＰL、ビーム半径Ｗf、スキャン速度Ｖの最適条件の算出を行う（Ｓ２０４）。 - 特許庁

A virtual extension PL is presumed extending from the viewpoint position V(i) to the virtual plane B(i) through the selected one pixel P(j, k).例文帳に追加

次に視点位置Ｖ（ｉ）から選択した１つの画素Ｐ（ｊ，ｋ）を通って仮想面Ｂ（ｉ）まで延びる仮想延長線ＰＬを想定する。 - 特許庁

In the production line PL, regenerated machines 60 utilizing the reusable parts MA are manufactured in addition to new machines 20 utilizing new parts V.例文帳に追加

製造ラインＰＬでは、新規部品Ｖを利用した新機２０の製造に加えて、再使用可能部品ＭＡを利用した再生機６０の製造を行なう。 - 特許庁

Then I-V characteristics of another silicon wafer 1 in the same lot PL are measured again and it is determined whether a measured value 6 matches the reference value 7.例文帳に追加

同一ロットＰＬ内の別のシリコンウエハ１について再びＩ−Ｖ測定を行い、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する。 - 特許庁

The trace V of the parting line PL is located on the side surface side of the container beyond the grounding part 24 at the bottom 23 of the molded container when the preform 10 having the parting line PL formed in the outer side surface along the circumferential direction is molded into a predetermined container shape by blow molding.例文帳に追加

外側面に周方向に沿ってパーティングラインＰＬが形成されたプリフォーム１０をブロー成形によって所定の容器形状に成形するにあたり、当該パーティングラインＰＬの痕跡Ｖを、成形された容器底部２３の接地部位２４を越えた容器側面側に位置させる。 - 特許庁

A method of evaluating the wafer for semiconductor includes measuring I-V characteristics (S2, S3) of a silicon wafer 1 optionally selected from a lot PL (S1), and determining whether or not a measured value 6 matches a reference value 7 (S4).例文帳に追加

ロットＰＬから任意に選択されたシリコンウエハ１について（Ｓ１）、Ｉ−Ｖ特性を測定し（Ｓ２，Ｓ３）、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する（Ｓ４）。 - 特許庁