けい素電界効果トランジスタの英語

ショットキーダイオードを内蔵した炭化ケイ素ＭＯＳ電界効果トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

SILICON CARBIDE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING BUILT-IN SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

有機半導体薄膜形成方法、半導体素子及び有機電界効果トランジスタ例文帳に追加

METHOD FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

電界効果トランジスタ１５の能動部分をフッ素系ポリマー層１８（犠牲層）で覆う。例文帳に追加

An active part of the field effect transistor 15 is covered with a fluorine polymer layer 18 (sarificial layer). - 特許庁

また、本発明は、前記非線形要素として、電界効果トランジスタを設けるものである。例文帳に追加

Furthermore, according to the present invention, a field effect transistor is positioned as the nonlinear component. - 特許庁

上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。例文帳に追加

The above problem is solved by a field effect transistor (1), using a SiN insulating film as an insulating film in particular, including a layer constituting a hetero interface including a channel layer (4) constituted of GaN or InGaN and a barrier layer (5) constituted of AlN and an insulating film (9) formed on a transistor element surface, or by a method for manufacturing such a field effect transistor. - 特許庁

ｐ型炭化珪素基板１１またはｐ型炭化珪素バッファ層１２を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。例文帳に追加

The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12. - 特許庁

炭化珪素電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と炭化珪素半導体間に良質な界面を得る。例文帳に追加

To provide an excellent interface between a gate insulating film and a silicon carbide semiconductor in a silicon carbide field effect transistor. - 特許庁

炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）および炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴの製造方法が提供されている。例文帳に追加

A silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) and a method of fabricating the silicon carbide MOSFET are provided. - 特許庁