エ子の英語

（エ）文献での記載が mg/l である場合は分子量と温度条件から ppm に変換して上述した方式を適用する。例文帳に追加

(D) When the description in a document is in mg/l, the aforementioned method is applied by converting it into ppm from the molecular weight and temperature. - 経済産業省

標準分圧器と浮遊参照電圧源との端子間は、図１(a)または(b)のように、一対は短絡（ウ)し、もう一対には電圧計（エ)を接続する。例文帳に追加

A voltmeter having high input impedance can be used as the voltmeter, and difference voltage measurement can be performed by two kinds of connections as shown in figure 1 (a) and (b). - 特許庁

ホスト化合物及び燐光性化合物を含有する発光層を有する有機ＥＬ素子であって、ホスト化合物として発光層に下記一般式１で表されるシクロファン化合物を含有することを特徴とする有機エＥＬ素子。例文帳に追加

The organic EL element has a light-emitting layer containing a host compound and a phosphorescent compound, and contains a cyclophane compound expressed by the following general formula 1: (general formula 1) in the light-emitting layer as the host compound. - 特許庁

その後、大阪に移り住み、1860年、桜田門外の変に参加した水戸浪士たちの支援を行うが、大阪に逃亡してきた高橋多一郎とその子庄左エ門をかくまった科により、3月23日に同志一同とともに捕縛され、松屋町の牢獄に繋がれる。例文帳に追加

After that, he moved to Osaka and supported Mito roshi (masterless samurai) who joined the Sakuradamongai Incident in 1860, but he was captured together with the entire comrade on March 23 and put in prison in Matsuya-cho for sheltering Taichiro TAKAHASHI and his son Shozaemon, who escaped to Osaka.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ルパン三世は，熟練した射撃の名手である次(じ)元(げん)大(だい)介(すけ)(玉(たま)山(やま)鉄(てつ)二(じ))，刀の達人の石川五(ご)エ(え)門(もん)(綾(あや)野(の)剛(ごう))，ルパンを裏切ってばかりいる女泥棒の峰(みね)不(ふ)二(じ)子(こ)(黒木メイサ)という仲間とともに世界中で数多くのお宝を盗んできた。例文帳に追加

Lupin III has stolen numerous treasures around the world with his fellow gang members: Jigen Daisuke (Tamayama Tetsuji), an expert marksman; Ishikawa Goemon (Ayano Go), a sword master; and Mine Fujiko (Kuroki Meisa), a female thief who often betrays Lupin. - 浜島書店 Catch a Wave

電圧計（エ)を高入力インピーダンスなものにした場合、浮遊参照電圧源と大地との間の絶縁の不完全により流れる漏洩電流（３）は、標準分圧器から短絡（ウ）を通って流れることになるが、(a)の場合と(b)の場合とでは、標準分圧器のどの端子から電流が流れ出すかが異なる分、電圧計（イ)は異なった指示をする。例文帳に追加

In this case, the voltmeter indicates differently between the case (a) and the case (b), because the terminals of the standard potential divider from which the current flows are different between both cases. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、（ア）半導体素子を形成した半導体基板上にレアメタル層を形成する工程と、（イ）前記レアメタル層上にＴａＯ膜を形成する工程と、（ウ）前記ＴａＯ膜をレジストパターンを用いてパターニングする工程と、（エ）前記パターニングされたＴａＯ膜を用いて前記レアメタル層をパターニングする工程とを含む。例文帳に追加

This manufacturing method of the semiconductor device comprises (a) a step of forming the rare metal layer on a semiconductor substrate provided with the semiconductor device, (b) a step of forming a TaO film on the rare metal layer, (c) a step of patterning the TaO film using a resist pattern, and (d) a step of patterning rare metal layer using the patterned TaO film. - 特許庁