峻介の英語

このとき、ソース／ドレイン領域１１ｐ，１１ｎ中の不純物が多結晶シリコン膜４を介してゲート側壁絶縁膜９下の基板表面に固相拡散し、非常に浅く急峻な濃度プロファイルを持つエクステンション１３ｐ，１３ｎが形成される。例文帳に追加

In this case, impurity in the source/drain region is diffused in solid phase on a surface of the substrate under the gate-sidewall insulating film 9 through the polycrystalline silicon film 4, and extensions 13p and 13n with a very shallow and abrupt density profile are formed. - 特許庁

ここで、リニアソレノイドＬＳがグランドショートとなると電流検出回路１０からの出力電圧ＶB が急峻な立上がりとなるが、抵抗素子ＲA に並列に接続されたダイオードＤ3 を介して積分回路７００の出力電圧ＶC に直ちに反映される。例文帳に追加

In this case, when the linear solenoid LS comes into ground short circuit, the output voltage VB from the current detection circuit 10 shows a sharp rise, however, the state is reflected immediately to the output voltage VC of the integration circuit 700 through a diode D3 connected in parallel to the resistance element RA. - 特許庁

そのとき、パルスバルブ２０を介してガスボンベの減圧器の二次側のドーピングガスを基板３の表面上にパルス状に直接供給することで、基板３からドープ層に遷移する領域における不純物濃度プロファイルが急峻になり、ドープ層の表面が平坦化される。例文帳に追加

At this time, the doping gas on a secondary side of a pressure reducer to a gas cylinder via the pulse valve 20 is supplied directly in a pulse manner on a surface of the substrate 3, so that the impurity concentration profile in a region transiting from the substrate 3 to the dope layer becomes steep to flatten the surface of the dope layer. - 特許庁

胴体部３６から底面３８に至るまでには、テーパ状縮径部４２と面取り部４０とが介在しており、先ず、テーパ状縮径部４２によって緩やかな縮径がなされ、次に、面取り部４０によって比較的急峻な縮径がなされている。例文帳に追加

A tapered diametrically contracting part 42 and a chamfering part 40 are interposed up to reaching the bottom surfaces 38 from the body part 36, and first of all, a diameter is gently contracted by the tapered diametrically contracting part 42, and next, the diameter is relatively sharply contracted by the chamfering part 40. - 特許庁

伝送線２３の電圧低下に伴ってトランジスタＱ２４のコレクタ電位が急峻に低下すると、電源線２７からトランジスタＱ２６およびコンデンサＣ２１を介して電流が流れ、その電流と同じ大きさの補償電流が、トランジスタＱ２７から共通ベース線２９を介してトランジスタＱ２４のベース・エミッタ間接合容量に流れ込む。例文帳に追加

When the collector level of the TR Q24 is rapidly decreased attending a voltage drop of the transmission line 23, a current flows through a power lie 27 via the TR Q26 and the capacitor C21, and a compensation current with the same current value as the flowing current flows to a base-emitter junction capacitance of the TR Q24 from the TR Q27 via the common base line 29. - 特許庁

テラヘルツ波発生素子などとして用い得るテラヘルツ波光素子は、励起光の照射によって急峻にキャリヤを発生させる光スイッチ部106と、光スイッチ部106の厚み方向に電界を印加するために光スイッチ部106を間に介在させて対向配置された第1電極部103と第2電極部104を備える。例文帳に追加

The terahertz wave optical element which is available as a terahertz wave generating element, or the like, has an optical switch section 106 which steeply generates carriers by the irradiation of the excitation light and a first electrode section 103 and a second electrode section 104, interposing the optical switch section 106, which are arranged opposite to apply the electric field in the thickness direction of the optical switch section 106. - 特許庁