強磁性細線の英語

この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。例文帳に追加

A microwave oscillator and a magnetic memory can immediately be obtained by using a structure of the ferromagnetic fine line element. - 特許庁

本発明の細線は、導電性を有する強磁性体から成り、厚みが供給される高周波電力に応じたスキンデプスの10倍以下の細線である。例文帳に追加

The wire consists of a ferromagnetic material having conductivity, and has a thickness being not more than ten times as large as skin depth in accordance with high frequency power to be supplied. - 特許庁

磁気記憶素子の一具体例は、基礎面３１上で延びるアモルファス磁性材層３２、および、このアモルファス磁性材層３２上に積層される強磁性材層３３で形成される導電性の磁性細線１８を備える。例文帳に追加

One illustrative embodiment of this magnetic storage element includes an amorphous magnetic material layer 32 extending on a basic surface 31, and a conductive magnetic thin wire 18 formed of a ferromagnetic material layer 33 laminated on the amorphous magnetic material layer 32. - 特許庁

強磁性細線に磁区を形成することにより記録を行なう、新たな構成を有する磁気記録装置を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic recording device having a new structure for performing recording by forming magnetic domains on a ferromagnetic thin line. - 特許庁

外部磁界に影響を受ける部位Ｎ１と影響を受けない部位Ｎ２を有する非磁性細線１０１へ、反強磁性体１０３によって磁化が固定された固定層１０２から電流を流し、非磁性細線１０１中にスピン偏極した電子（Ｉ_s1，Ｉ_s2）を蓄積させる。例文帳に追加

A current is supplied from a fixed layer 102 where magnetization is fixed by an antiferromagnetic member 103 to a nonmagnetic thin line 101 having a part N1 affected by an external magnetic field and a part N2 not affected by the external magnetic field to store spin-polarized electrons (I_s1, I_s2) in the nonmagnetic thin line 101. - 特許庁

遊技領域３１の正面側を視認可能に覆うガラス枠４の二重のガラス板１０の間に網状の強磁性体の細線５０が配置されている。例文帳に追加

Between the double glass plates 10 of the glass frame 4 which covers visibly the front side of a playfield 31, the net-like ferromagnetic thin wires 50 are arranged. - 特許庁

ＩｎＡｓなどのIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１上に、Ｆｅなどの強磁性遷移金属からなる強磁性細線２を、好ましくは幅０．２〜３μｍ、長さ１〜４０００μｍ、高さ１０〜１００ｎｍに形成する。例文帳に追加

A semiconductor substrate 1 is formed of a III-V compound semiconductor such as InAs, and ferromagnetic fine wires 2 of ferromagnetic transition metal such as Fe, preferably each being 0.2 to 3 μm in width, 1 to 4,000 μm in length, and 10 to 100 nm in height, are formed on the semiconductor substrate 1. - 特許庁

強磁性細線１の上の面の、電圧電極４ａと４ｂとの間、および電流電極２ａと電圧電極４ａとの間に、イオンビームエッチング等の手段を用いて、窪み５を作成する。例文帳に追加

A recessions 5 are formed between the voltage electrodes 4a and 4b and between the current electrode 2a and the voltage electrode 4a on the upper side of the ferromagnetic thin line 1 by means of ion beam etching etc. - 特許庁