後縁縁核の英語

下部電極上に、結晶核と同じ材料から構成されるアモルファス状態の容量絶縁膜を形成した後、熱処理を行うことにより、アモルファス状態の容量絶縁膜を結晶化させる。例文帳に追加

Heat treatment is carried out after formation of a capacitive insulating film in the amorphous state which is configured by the same material as the crystal nucleus, on the lower electrode, and thereby, the capacitive insulating film in the amorphous state is crystallized. - 特許庁

その後、絶縁樹脂層４の表面及び耐めっき性の絶縁材料の表面に銅めっきの核となる触媒１３を付与、無電解銅めっき７を行い、続いて、めっきレジストパターン間の銅めっきは残し、めっきレジスト５上の銅めっき及び触媒層を除去するよう構成する。例文帳に追加

Afterwards, a medium 13 of the core of copper plating is applied to the surface of the insulating resin layer 4 and the surface of plating- resistant insulating materials, non-electrolytic copper plating 7 is carried out, and the copper plating and medium layer on the plating resist 5 are removed with the inter-plating resist pattern copper plating left over. - 特許庁

微結晶半導体膜と、その下層の絶縁膜との界面に形成される非晶質層を除くため、フッ素系ガス（ＳｉＦ４）及びシランを用いて結晶核を形成した後、結晶核を種として結晶成長させ、レーザ処理にて微結晶半導体膜を形成する。例文帳に追加

A microcrystal semiconductor film is formed by laser treatment by growing a crystal using a crystal nucleus as a seed after forming the crystal nucleus using fluorine-based gas (SiF4) and silane in order to remove an amorphous layer formed on an interface between a microcrystal semiconductor film and an insulating film under the microcrystal semiconductor film. - 特許庁

非撥水性領域を電熱ヒータで加熱することによって、翼前縁部に生成した氷核は、着氷に成長することなく融解し、翼弦方向に後続する翼表面の撥水構造によって弾かれて飛散・除去される。例文帳に追加

By heading the non-water repellency area with an electric heater, ice nuclei created at the blade front edge are molten without growing to ice coating, flipped by the water repellency structure on the blade surface following in a wing direction, and splashed/removed. - 特許庁