意味 | 例文 (6件) |
気管内清掃の英語
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英訳・英語 TBT; tracheobronchial toilet
「気管内清掃」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6件
管同士を連結するとともに、取り外すことなく清掃用気体または液体を供給することにより連結した管内を清掃することを可能とし、また、取水など連結した管内を流れる流体を容易に排出することを可能とする継手を提供し、該継手に清掃用流体供給手段を連結して管内の清掃を行う清掃方法を提供する。例文帳に追加
To provide a joint which can connect pipes to each other, clean the inside of the connected pipes by feeding cleaning gas or liquid without disconnecting the pipes, and easily discharge the taken-in fluid running in the pipe, and a cleaning method for cleaning the inside of the pipes by connecting a cleaning fluid feeding means to the joint. - 特許庁
排気能力を損なうことなくプラズマの漏洩を防止するとともに、排気配管内を容易に清掃することを可能にし、堆積膜の品質および生産性を向上する。例文帳に追加
To improve quality and productivity of deposited films by preventing the leakage of a plasma without impairment of displacement potential and by making easy cleaning of the inside of displacement piping possible. - 特許庁
埋設深さが深い管や常に満水状態にある管に対しても適用することができ、しかも悪臭や有害物質等が外気に漏れるのを確実に防ぐことのできる管内清掃装置を提供する。例文帳に追加
To provide pipe inside cleaning equipment which can be applied to a pipe having a large embedment depth or always filled up with water and can definitely prevent leakage of an offensive odor, a harmful substance or the like to the outside. - 特許庁
半導体又は液晶パネル製造装置における排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの付着・堆積を抑制して、排気配管または排気設備の清掃周期を短くする珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a method for suppressing the deposition of ammonium silicofluoride where the sticking and deposition of ammonium silicofluoride in exhaust gas treatment system piping in a semiconductor or liquid crystal panel production device are suppressed, and the cleaning period of the exhaust piping or exhaust equipment is reduced. - 特許庁
槽本体に被処理水の浄化処理部を収容する水処理装置に内装される空気供給配管に関し、当該空気供給配管の管内流路を絞るオリフィスの清掃やメンテナンス等の作業性向上を図るのに有効な技術を提供する。例文帳に追加
To provide an efficient technique for realizing improvement of operability such as cleaning and maintenance in an orifice throttling the flow passage of an air feed pipe built in a water treating device, in the vessel body of which a cleaning part of water to be treated is housed. - 特許庁
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置で、ドーパントが高濃度で添加された低抵抗率のシリコン単結晶を引き上げる際に炉内及び排気管内に付着した活性シリコン酸化物を、前記装置の解体・清掃前に効率的に酸化燃焼させて除去するシリコン単結晶引上装置のクリーニング方法を提供する。例文帳に追加
To provide a cleaning method of a silicon single crystal pulling apparatus, wherein a Chokralsky method is used and active silicon oxide adhering to the inside of a furnace and an exhaust pipe during pulling a silicon single crystal containing a dopant added at a high concentration and having a low resistivity is efficiently removed by oxidation combustion before disassembling and cleaning the apparatus. - 特許庁
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