| 例文 (8件) |
"亜粒界"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
前記亜粒界の占有率を６％以下にすると、さらに光電変換効率を高めることができるので望ましい。例文帳に追加
It is desirable that the occupancy of the subgrain boundaries is reduced to ≤6%, because higher photoelectric conversion efficiency can be achieved. - 特許庁
小傾角粒界や亜粒界密集帯の無い、高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a high quality silicon carbide single crystal ingot which is free of small tilt angle grain boundary and sub-grain boundary clustered zones. - 特許庁
直接窒化法による、歪みや転位あるいは亜粒界の量が多いＡｌＮ原料粉末を用いて、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を安価に提供する。例文帳に追加
To provide a highly heat-conductive aluminum nitride sintered compact at a low cost by a direct nitriding method using an AlN raw material powder containing a large amount of distortion, dislocation or sub-grain boundary. - 特許庁
これによって、＜１００＞方向および＜０１０＞方向に沿った亜粒界によって区切られた矩形状の単結晶粒が、基板上に全面にわたって、または任意の個数だけ連続して、互いに隙間無く形成される。例文帳に追加
Hereby, rectangular single crystal grains partitioned in <100> and <010> directions with subintergranular regions are formed without any gap over the entire surface of a substrate continuously by the arbitrary number. - 特許庁
硝酸、酢酸および弗酸からなる混酸液に浸漬し、転位を顕在化させたとき、ウェーハ表面において観察される亜粒界の占有率が１０％以下であることを特徴とする多結晶シリコンウェーハ。例文帳に追加
When the polycrystalline silicon wafer is immersed in a mixed acid solution comprising nitric acid, acetic acid and hydrofluoric acid to elicit dislocations, the occupancy of subgrain boundaries observed on the wafer surface is ≤10%. - 特許庁
小傾角粒界や亜粒界密集帯を始めとする欠陥密集領域の無い、高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a high quality silicon carbide single crystal ingot which is free of defect clustered zones including small tilt angle grain boundary and sub-grain boundary clustered zones. - 特許庁
ＺｒＢ_２又はＴｉＢ_２の単結晶には、０．０５〜３重量％以下のＭｏＢ_２若しくはＷＢ_２の少なくとも一つを含有し、単結晶には、亜粒界を含まないので、半導体層を成長形成するための主面を有する基板とすることができる。例文帳に追加
The ZrB_2 or TiB_2 single crystal containing 0.05-3 wt.% at least either MoB_2 or WB_2 is freed from a subordinate grain boundary, so that it can be used as a substrate having the principal face for growing a semiconductor layer. - 特許庁
結晶成長中に，前記るつぼ，ヒータ，シールドのうち少なくとも２つを昇降させることにより，表面亜粒界や転位の発生の抑制，底付きの防止，直径制御性等をバランスよく調整し，品質の良い単結晶を比較的簡単に得ることができる。例文帳に追加
While a crystal is growing, at least two of the crucible, the heater, and the shield are moved vertically, and generation of surface sub-boundary and dislocation, prevention of hitting the bottom, controllability of diameter, etc., are regulated with good balance to obtain a high quality single crystal comparatively easily. - 特許庁
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