| 例文 (7件) |
"金属半導体接合"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
金属−半導体接合構造の低抵抗化を図る。例文帳に追加
To reduce the resistance of a metal-semiconductor junction structure. - 特許庁
金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタの新規な構造を提供する。例文帳に追加
To provide a novel structure of a field effect transistor including metal-semiconductor junction. - 特許庁
この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。例文帳に追加
Since the electrode forms the junction on the semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer, a metal/semiconductor junction exhibits good ohmic characteristics. - 特許庁
インジウムを主要成分とし、金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。例文帳に追加
To provide a structure being capable of reducing off current of a field effect transistor mainly containing indium and including metal-semiconductor junction. - 特許庁
本発明はゲート電極を有する金属半導体接合型電界トランジスタのような半導体装置の製造方法にかかるものである。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which equalizes the lengths of the overhang parts of a T-type gate electrode to each other. - 特許庁
その放出素子は、放出電極と、抽出電極と、ショットキー金属−半導体接合あるいは障壁を利用する固体電界制御式放出器とを含む。例文帳に追加
The emitting element includes an emitter electrode, an extractor electrode, and a solid-state field controlled emitter that utilizes a Schottky metal/ semiconductor junction or barrier. - 特許庁
金属−半導体接合での障壁ポテンシャル（３３）は、使用する金属（１６）のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル（３３）が下がり、Ｖ_fが０．１〜０．３Ｖの範囲となる。例文帳に追加
The barrier potential (33) at metal-to-semiconductor junction varies depending on the type of metal to be used (16), and using particular metals lowers the diode's Schottky barrier potential (33), results in a V_f in the range of 0.1-0.3 V. - 特許庁
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