例文 (999件) |
"ION implantation"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1793件
ION IMPLANTATION METHOD, ION IMPLANTATION DEVICE, AND BEAM TRANSPORT PIPE FOR THE ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加
イオン注入方法、イオン注入装置及びイオン注入装置用ビーム輸送管 - 特許庁
ION IMPLANTATION DISTRIBUTION GENERATION METHOD例文帳に追加
イオン注入分布発生方法 - 特許庁
RF ACCELERATED ION-IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
RF加速型イオン注入装置 - 特許庁
INSPECTION METHOD FOR ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加
イオン注入装置の検査方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION AMOUNT MEASUREMENT METHOD例文帳に追加
イオン注入量測定方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION AMOUNT MEASURING APPARATUS例文帳に追加
イオン注入量測定装置 - 特許庁
METHOD FOR EVALUATION OF ION-IMPLANTATION DISTRIBUTION例文帳に追加
イオン注入分布の評価方法 - 特許庁
METHOD OF GENERATING ION IMPLANTATION DISTRIBUTION例文帳に追加
イオン注入分布発生方法 - 特許庁
MONITORING METHOD OF ION IMPLANTATION ENERGY AND ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
イオン注入エネルギーのモニター方法およびイオン注入装置 - 特許庁
The ion implantation is performed by angled ion implantation from four directions.例文帳に追加
イオン注入は、4方向からの斜めイオン注入により行う。 - 特許庁
IRON ION IMPLANTATION METHOD AND IRON ION IMPLANTATION QUANTITY CONTROL DEVICE例文帳に追加
鉄イオン注入方法及び鉄イオン注入量制御装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION AMOUNT MEASURING METHOD AND ION IMPLANTATION AMOUNT ESTIMATING METHOD例文帳に追加
イオン注入量測定方法、およびイオン注入量推定方法 - 特許庁
PATTERN INSPECTING METHOD, ION IMPLANTATION CONTROL METHOD, AND ION IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加
パターン検査方法、イオン注入制御方法及びイオン注入システム - 特許庁
ION IMPLANTATION AMOUNT MEASUREMENT METHOD AND ION IMPLANTATION DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
イオン注入量測定方法及びこれを用いたイオン注入装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION AMOUNT MEASUREMENT DEVICE AND ION IMPLANTATION AMOUNT MEASUREMENT METHOD例文帳に追加
イオン注入量測定装置およびイオン注入量測定方法 - 特許庁
INTERNAL PROTECTING MEMBER FOR ION IMPLANTATION DEVICE, AND ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
イオン注入装置用内部保護部材及びイオン注入装置 - 特許庁
BASE BOARD SUPPORTING MEMBER OF ION IMPLANTATION DEVICE, AND ION IMPLANTATION METHOD例文帳に追加
イオン注入装置の基板支持部材およびイオン注入装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION SIMULATION METHOD, ION IMPLANTATION SIMULATOR, ION IMPLANTATION SIMULATION PROGRAM, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン注入シミュレーション方法、イオン注入シミュレータ、イオン注入シミュレーションプログラム、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
Ion implantation conditions for the ion implantation are 300 keV ion implantation energy and 2×10^18 atoms/cm^2 dose amount.例文帳に追加
このときのイオン注入条件は、注入エネルギー300keV、ドーズ量2×10^18atoms/cm^2である。 - 特許庁
At this time, the ion implantation dosage control part 5 performs correction of ion implantation dosage based on the correction coefficient and conducts control of the ion implantation dosage.例文帳に追加
この時、イオン注入量制御部5は、補正係数を基にイオン注入量の補正を行いイオン注入量の実行を制御する。 - 特許庁
A hydrogen ion implantation interface 12 is formed by this hydrogen ion implantation.例文帳に追加
この水素イオン注入により、水素イオン注入界面12が形成される。 - 特許庁
ION SOURCE DEVICE, ION GENERATION METHOD, ION IMPLANTATION DEVICE, AND ION IMPLANTATION METHOD例文帳に追加
イオン源装置、イオン発生方法、イオン注入装置およびイオン注入方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION MASK, ION IMPLANTATION METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン注入マスク、イオン注入方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁
HIGH-TEMPERATURE ION IMPLANTATION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING HIGH-TEMPERATURE ION IMPLANTATION例文帳に追加
高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD FOR OBTAINING A NONUNIFORM ION IMPLANTATION ENERGY例文帳に追加
不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びその方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION DEVICE, ION IMPLANTATION METHOD, MANUFACTURING METHOD OF SOLID IMAGING ELEMENT, AND SOLID IMAGING ELEMENT例文帳に追加
イオン注入装置、イオン注入方法および固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 - 特許庁
ION IMPLANTATION DEVICE FOR UNIFORMALIZING TRANSISTOR PARAMETER AND ION IMPLANTATION METHOD USING SAME例文帳に追加
トランジスタパラメータを均一化するためのイオン注入装置及びそれを用いたイオン注入方法 - 特許庁
例文 (999件) |
※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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