| 例文 (999件) |
"for Growing"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1701件
The method comprises: a step for growing a nitride buffer layer 21 including aluminum on a sapphire substrate 20; a step for growing a binary nitride buffer layer 22 on the nitride buffer layer 21; and a step for growing a nitride semiconductor layer 23 on the binary nitride buffer layer 22.例文帳に追加
サファイア基板20の上部にアルミニウムを含む窒化物バッファー層21を成長させる段階と、窒化物バッファー層21の上部に二元系窒化物バッファー層22を成長させる段階と、二元系窒化物バッファー層22の上部に窒化物半導体層23を成長させる段階とで構成される。 - 特許庁
To provide a lighting unit for growing farm crops which enables efficient light supplement by a combination of a light-emitting diode light source and a reflecting plate, to provide a lighting system for growing farm crops using the unit, and to provide a method for growing farm crops using the unit and the system.例文帳に追加
発光ダイオード光源と反射板を組み合わせた効率的な補光を可能とする農作物育成用照明ユニット、それを用いた農作物育成用照明システム及びこれらを用いた農作物育成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a paste agent for a culturing soil for growing seedlings, capable of maintaining a good solidifying state stably without being affected directly by the property of a base material of the culturing soil for growing the seedlings and also excellent in sowing work efficiency and preserving property, and a culturing soil for growing the seedling using the same agent.例文帳に追加
育苗培土基材の性質に直接影響されることなく、良好な固化状態を安定して維持できると共に、播種作業性および保存性に優れた育苗培土用糊剤、およびこれを用いる育苗培土を提供する。 - 特許庁
The method comprises disposing inorganic particles 2 on a surface 1A of a substrate 1 for growing by using a slurry obtained by dispersing the inorganic particles 2 in a medium, and by dipping the substrate 1 for growing into the slurry or by coating or spraying the slurry onto the substrate 1 for growing and drying it.例文帳に追加
無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。 - 特許庁
One bag of rice weighs 60 kg, and the basic unit for the area of agricultural land for growing rice (paddy field) is one tan (approximately 992 square meters). 例文帳に追加
米は1俵60kgであり、稲作農地（田んぼ）は面積1反を以って基本単位とする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Climate in the Iya region is suitable for growing buckwheat with a wide range of temperatures and frequent fog. 例文帳に追加
祖谷地方は大きな温度差や霧が多い気候でソバの栽培に適している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
However, the shrine acquired land during the Taisho period in Watarai-cho, Watarai-gun especially for growing kaya (kayaba for the shrine). 例文帳に追加
大正時代に茅を育成するための用地（神宮萱場）を度会郡度会町に確保した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Recently some growing companies were listed on other Asian markets for growing companies. 例文帳に追加
最近では、アジア諸国の新興市場へ新規上場を行う新興企業も現れるようになっている。 - 金融庁
BORIDE SINGLE CRYSTAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND SUBSTRATE FOR GROWING SEMICONDUCTOR USING THE BORIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
ホウ化物単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた半導体成長用基板 - 特許庁
METHOD FOR GROWING CARBON NANOTUBE, STRUCTURE OF CARBON NANOTUBE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
カーボンナノチューブの成長方法、カーボンナノチューブの構造体及び電界効果型トランジスタ - 特許庁
METHOD FOR GROWING CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法と窒化ガリウム系化合物半導体 - 特許庁
SUBSTRATE FOR GROWING CARBON NANOTUBE, ITS PRODUCING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOTUBE例文帳に追加
カーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MUTAGENESIS OF COGON BY HEAVY ION BOMBARDMENT AND METHOD FOR GROWING DWARF COGON例文帳に追加
重イオンビーム照射によるチガヤの突然変異誘導法と矮性チガヤの育成 - 特許庁
SUBSTRATE FOR GROWING CARBON NANOTUBE AND METHOD FOR FORMING CARBON NANOTUBE例文帳に追加
カーボンナノチューブ成長用基板及びカーボンナノチューブの形成方法 - 特許庁
METHOD FOR GROWING CORUNDUM SINGLE CRYSTAL, CORUNDUM SINGLE CRYSTAL AND CORUNDUM SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加
コランダム単結晶の育成方法、コランダム単結晶およびコランダム単結晶ウェーハ - 特許庁
To provide a method and apparatus for growing an aluminum nitride monocrystal boule.例文帳に追加
窒化アルミニウム単結晶ブール成長のための方法及び装置を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR GROWING CARBON NANOTUBE AND METHOD FOR MANUFACTURING CARBON NANOTUBE STRUCTURE例文帳に追加
カーボンナノチューブの成長方法およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法 - 特許庁
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SUBSTRATE FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物半導体及びＩＩＩ族窒化物半導体成長用基板 - 特許庁
METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL HAVING LARGE VOLUME FROM CALCIUM FLUORIDE AND USE OF THE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
弗化カルシウムから大容積単結晶を成長させるための方法及びその用途 - 特許庁
Source gases and atomic hydrogen are supplied alternately to a substrate for growing crystal.例文帳に追加
結晶を成長させる基板上に、原料ガスと原子状水素とを交互に供給する。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR GROWING CARBON NANOTUBE AND METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOTUBE例文帳に追加
カーボンナノチューブ成長用基板の作製方法及びカーボンナノチューブの作製方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
半導体発光素子の製造方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 - 特許庁
PROCESS OF PRODUCING CARBON NANOTUBE AND BASE MATERIAL FOR GROWING CARBON NANOTUBE例文帳に追加
カーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブ成長用基材 - 特許庁
ZIRCONIUM DIBORIDE (ZrB2) SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR GROWING THE SAME, AND SUBSTRATE FOR FORMING SEMICONDUCTOR例文帳に追加
二ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）単結晶とその育成法並びに半導体形成用基板 - 特許庁
METHOD FOR GROWING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL, ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
窒化アルミニウム結晶の成長方法と窒化アルミニウム基板および半導体デバイス - 特許庁
METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイス - 特許庁
GRAPHITE CRUCIBLE FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
炭化珪素単結晶成長用黒鉛坩堝及び炭化珪素単結晶製造装置 - 特許庁
METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板および半導体デバイス - 特許庁
APPARATUS FOR GROWING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT HAVING REUSABLE DUAL CRUCIBLE FOR SILICON MELTING例文帳に追加
再使用が可能なシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置 - 特許庁
APPARATUS FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁
PROCESS FOR GROWING MICROORGANISM CONTAINING HIGH CONCENTRATION OF OMEGA-3 HIGHLY UNSATURATED FATTY ACID例文帳に追加
高濃度オメガ三系高度不飽和脂肪酸を含有する微生物を生育する方法 - 特許庁
PRODUCTION OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND SEED CRYSTAL FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
化合物半導体単結晶の製造方法および化合物半導体単結晶成長用種結晶 - 特許庁
VESSEL FOR GROWING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE-CRYSTAL例文帳に追加
半導体単結晶成長用容器及び化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR GROWING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, EPITAXIAL WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層を成長する方法、エピタキシャルウエハ、および半導体装置 - 特許庁
SURFACE TREATMENT METHOD FOR SUBSTRATE, SUBSTRATE AND METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
基板の表面処理方法、基板、窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SEED CRYSTAL FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物半導体製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体育成用の種結晶 - 特許庁
APPARATUS FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD OF GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶成長方法 - 特許庁
SEED CRYSTAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE INGOT例文帳に追加
炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL AND SILICON WAFER MANUFACTURED FROM THE SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
シリコン単結晶の成長方法，成長装置及びそれから製造されたシリコンウエハ - 特許庁
CRUCIBLE FOR GROWING OXIDE SINGLE CRYSTAL AND GROWING DEVICE OF OXIDE SINGLE CRYSTAL USING IT例文帳に追加
酸化物単結晶育成用坩堝とそれを用いた酸化物単結晶育成装置 - 特許庁
SUBSTRATE FOR GROWING WURTZITE TYPE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 - 特許庁
PLANT GROWTH ACTIVATOR AND METHOD FOR GROWING PLANT USING THE SAME PLANT GROWTH ACTIVATOR例文帳に追加
植物成長活性剤およびその植物成長活性剤を用いた植物生育方法 - 特許庁
To provide a method for growing a gallium nitride crystal by which a gallium nitride substrate having high quality can be produced.例文帳に追加
高品質の窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶成長方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板 - 特許庁
SEED CRYSTAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, AND METHODS FOR MANUFACTURING THEM例文帳に追加
炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、及びこれらの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
炭化珪素単結晶の成長方法、炭化珪素種結晶および炭化珪素単結晶 - 特許庁
METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN CRYSTAL, AND AlxGa1-xN CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶の成長方法およびＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶基板 - 特許庁
To provide a method for growing a nitride semiconductor that constitutes a new nitride semiconductor element.例文帳に追加
新規な窒化物半導体素子を構成する窒化物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁
PROCESS FOR GROWING GaNP CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GaNP CRYSTAL例文帳に追加
ＧａＮＰ結晶の成長方法及びＧａＮＰ結晶を備えた半導体装置 - 特許庁
METHOD FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SEED CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
炭化珪素単結晶の結晶成長方法、種結晶及び炭化珪素単結晶 - 特許庁
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