「"for Growing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a mulching method for preventing water in the planting soil for tree from evaporating, supplying the water to the planted tree by forming dewfall on the surface of a mulching material, supplying nutrient elements required for growing the tree while preventing the damage caused by fertilizer at the time of transplantation by gradually leaching an organic material and the fertilizer components from the surface of the soil, and heightening the fertility of the planting soil.例文帳に追加

樹木の植栽土壌中の水分の蒸発を抑制し且つマルチング材表面で結露を発生させて植栽樹木に水分を供給し、且つ土壌表面から緩やかに有機物や肥料成分を溶脱させて定植時の肥料焼けを防ぎながら樹木の成育に必要な養分を供給すると共に植栽土壌の肥沃度を高めるマルチング方法の提供。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor wafer is provided with a process for growing epitaxially an SiGe layer on a surface of a first silicon single crystal wafer, a process for coupling a surface of the SiGe layer with a surface of a second wafer via an oxide film, and a process for thinning the first silicon single crystal wafer coupled with the second wafer and exposing the Si layer including lattice strain.例文帳に追加

第１のシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長する工程と、該ＳｉＧｅ層の表面と第２のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第２のウェーハと結合された該第１のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するＳｉ層を露出させる工程と、を有するようにした。 - 特許庁

A method for producing a p-SiC semiconductor single crystal by a solution method which is a method for growing the p-SiC semiconductor single crystal on an SiC single crystal substrate from a solution formed by dissolving C in an Si melt, wherein a solution prepared further adding to the above solution Al and N in amounts satisfying the relationship: the amount of Al added>the amount of N added is used.例文帳に追加

Ｓｉ融液にＣを溶解させた溶液からＳｉＣ単結晶基板上にｐ型ＳｉＣ半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液に更にＡｌおよびＮを、Ａｌ添加量＞Ｎ添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor single crystal using a Czochralski (Cz) method for growing a semiconductor single crystal through a solid-liquid interface by dipping a seed into a semiconductor melt housed in a quartz crucible, and pulling the seed while rotating the quartz crucible and applying a strong horizontal magnetic field, wherein the seed is pulled while the quartz crucible is rotated with a rate of from 0.6 to 1.5 rpm.例文帳に追加

石英るつぼに収容された半導体メルト（ｍｅｌｔ）にシード（ｓｅｅｄ）を浸した後、前記石英るつぼを回転させるとともに水平強磁場を印加しながら引き上げ、固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚ）法を用いた半導体単結晶の製造方法であって、前記石英るつぼを０.６〜１.５ｒｐｍの速度で回転させながら引き上げる。 - 特許庁

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりＧａＮ層を形成すれば、転位密度が５×１０^8ｃｍ^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０^10ｃｍ^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。 - 特許庁

When a control device 70b performs a melting drive (step S23) for melting the tip of the first electrode 15 between first and second electrodes 15, 16 during an initial operation, the first electrode 15 making use of a lighting start period can be melted so that a regenerating drive (step S24) for growing the tip 15a of the first electrode 15 is carried out at the following regular operation.例文帳に追加

制御装置７０ｂが、初期動作において第１及び第２電極１５、１６のうち例えば第１電極１５の先端側を溶かす溶融駆動（ステップＳ２３）を行った場合、その後の定常動作において上記第１電極１５のについて先端部１５ａを成長させる再生駆動（ステップＳ２４）を行うので、点灯開始の期間を利用した第１電極１５の溶融が可能になる。 - 特許庁

The Cs resource includes the Cs component, the ratio (mol%) of the Cs component is set greater than the ratio (mol%) of the Cs component in the raw material composition for growing the raw material crystal, and the heating temperature in a heat treatment process is a temperature in which Cs vaporizes from the Cs resource and a temperature lower than that at which a weight decrease in the cesium boric acid compound crystal is generated.例文帳に追加

Ｃｓ供給源は、Ｃｓ成分を含み、そのＣｓ成分の割合（ｍｏｌ％）が、原料結晶を育成するための原料組成物におけるＣｓ成分の割合（ｍｏｌ％）よりも大きく設定し、加熱処理工程における加熱温度は、Ｃｓ供給源からＣｓが蒸発する温度であり、且つ、セシウムホウ酸化合物結晶に重量減少が発生する温度未満とする。 - 特許庁

The method for producing a silicon carbide single crystal includes steps of: supplying a source fine powder 5 for sublimation and a carrier gas 3 to an atmosphere for growing a silicon carbide single crystal, the atmosphere including a silicon carbide seed crystal; heating to sublimate the source fine powder 5 for sublimation; and supplying the sublimated gas onto the silicon carbide seed crystal 2 to grow a silicon carbide single crystal on the silicon carbide seed crystal.例文帳に追加

昇華用原料微粉末５とキャリアガス３を炭化ケイ素種結晶を備える炭化ケイ素単結晶成長雰囲気内に供給する工程と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華させる工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給し炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる工程と、を含む炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 特許庁

A GaN crystal thin film (especially GaN crystal thin film) 1 of thickness 100 μm or less which is formed as an independent thin film by a solution growth method, or the like, is jointed onto a substrate 2, to provide a crystal growth base material comprising one surface 1b of the thin film as a start surface for growing GaN crystal, on which the GaN crystal is grown.例文帳に追加

溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ１００μｍ以下のＧａＮ系結晶薄膜（特にＧａＮ結晶薄膜）１を、基板２上に接合し、該薄膜の一方の面１ｂをＧａＮ系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にＧａＮ系結晶を成長させる。 - 特許庁

The process for growing the III-V compound semiconductor layer 5 comprises processes of: heating the substrate 1 so that the temperature of the substrate 1 becomes a value Tsub (2) which is higher than the first value Tsub (1) at formation start time of the III-V compound semiconductor layer 5; and lowering the temperature of the substrate 1 as the III-V compound semiconductor layer 5 grows.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層５を成長させる工程は、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長開始時に、基板１の温度が第１の値Ｔｓｕｂ（１）よりも高い第２の値Ｔｓｕｂ（２）になるように基板１を加熱する工程と、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長と共に、基板１の温度を低下させる工程とを含む。 - 特許庁

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate.例文帳に追加

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal substrate for growing the silicon carbide single crystal epitaxial thin film uses a surface inclined from (11-20) plane at an angle of ≥3 and ≤60° in an arbitrary direction in a range of ≥-45 and ≤45° in the [1-100] axis direction around <0001> axis as a surface for epitaxial growth of the thin film.例文帳に追加

エピタキシャル薄膜成長させる面が、（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向に、３度以上６０度以下、傾いた面である炭化珪素単結晶エピタキシャル薄膜成長用炭化珪素単結晶基板である。 - 特許庁

To provide a method of fixing a seed crystal used for growing a silicon carbide single crystal, in which generation of micocracks elongating in a growing single crystal is suppressed by bonding a seed crystal and a graphite base for holding the seed crystal by using a metal carbide layer free from voids; and to provide a method of manufacturing the single crystal using the same.例文帳に追加

種結晶と種結晶を保持する黒鉛台座とを空隙のない金属炭化物層を用いて結合させることにより、成長単結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を抑制した炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the single crystal 4 is pulled from a silicon melt 3 by using the regenerated quartz crucible 1a subjected to the regeneration treatment after being used for growing a silicon single crystal by a CZ method, BaCO_3 powder is added to a silicon raw material in the quartz crucible in an amount of 1-70 ppm by mass based on the silicon raw material.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成に使用した後、再生処理を施した再生石英ルツボ１ａを用い、シリコン溶融液３から単結晶４を引き上げるに際し、石英ルツボ内のシリコン原料に、ＢａＣＯ_3粉末を、シリコン原料に対する質量比で、１〜７０ｐｐｍ添加する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor stacked structure which can improve the performance and reliability of a light emitting element or electron traveling element having n-type gallium nitride compound semiconductor layers without degrading the surface flatness and crystallinity of the compound semiconductor layers even when the concentrations of an n-type impurity in the semiconductor layers are increased, a semiconductor device provided with the structure, and a method for growing crystal.例文帳に追加

ｎ型不純物濃度を増加させた場合においてもｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面平坦性や結晶性を損なうことが無く、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有する発光素子や電子走行素子を高性能化、高信頼化することができる半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

(2) The single crystal pulling device for growing a single crystal 10 by the CZ method from a melt 5 in the crucible 2 is equipped with a heater 1 incorporated therein which is concentrically disposed outside the crucible 2, and heats the raw material supplied into the crucible 2 and retaining the material in a melt state.例文帳に追加

（２）ルツボ２の外側に同心円状に配置され、ルツボ２内に供給される原料を加熱して溶融状態に保持するためのヒーター１を備え、ルツボ２内の溶融液５からＣＺ法により単結晶１０を育成する単結晶引上げ装置であって、ヒーター１が組み込まれている引上げ装置である。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality gallium nitride semiconductor having composition of InxGayal1-x-yN(0<x≤1, 0≤y≤1) over a long term using a carrier gas having high mixing ratio of nitrogen by reducing contamination of organic metal compound due to nitrogen gas carrier having lower purity than hydrogen.例文帳に追加

高い窒素混合率のキャリアガスによる成長において、水素に比較して純度の悪い窒素キャリアガスによる有機金属化合物の汚染を低減し、高品質のＩｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長を長期に渡って可能な製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The method for preparing the substrate for growing gallium nitride includes performing thermal cleaning on a surface of a silicon substrate, forming a Si_3N_4 micro-mask on the surface of the silicon substrate in an in situ manner, and growing a gallium nitride layer through epitaxial lateral overgrowth (ELO) using an opening in the micro-mask.例文帳に追加

シリコン基板の表面をサーマルクリーニングする工程と、基板の表面にインサイチュ方式のＳｉ_３Ｎ_４マイクロマスクを形成する工程と、マイクロマスクの開口部を通じるエピタキシャル横方向過度成長（ＥＬＯ）方法で窒化ガリウム層を成長させる工程と、を含む窒化ガリウム成長用基板の製造方法。 - 特許庁

In this method, the vegetation mat containing vegetation base soil optimum for growing plants and seeds of waterside plants is secured, from the earth and rubber sheet side, to the bare slope in the water level fluctuating area along the lake shore line and the small reservoirs covered with rubber sheet to prevent erosion and promote the regeneration of natural scenery.例文帳に追加

湖沼岸線の水位変動域の裸地法面やゴムシートで覆われた溜池等に植物の生育に最適な植生基盤土と水際植物の種子を内封した植生マット体を地山及びゴムシート側から植生マット体を固定し、浸食防止と自然景観の再生促進を可能とする水辺緑化工法。 - 特許庁

The molecular beam source cell for thin film deposition generates molecules for growing a thin film on a solid surface by subliming or vaporizing a film-forming material (a) under heating, and has a plurality of molecule ejection ports 4, 4 for ejecting molecules of the film-forming material toward a film-forming plane 1 for forming the film.例文帳に追加

薄膜堆積用分子線源セルは、成膜材料ａを加熱することにより、その成膜材料ａを昇華または蒸発して、固体表面に薄膜を成長させるための分子を発生するものであって、薄膜の成膜面１に向けて薄膜を形成する材料の分子を放出する分子放出口４、４…を複数設けると共に、これら分子放出口４、４…を互いに斜め外向きに開口させたものである。 - 特許庁

The system 1 for producing a semiconductor substrate comprises a CVD furnace 2 for growing an epitaxial layer on a semiconductor substrate (wafer) W, an exhaust gas bubbler 3 branched from the way of piping 23 for discharging exhaust gas, and an analyzer 4 for analyzing metals in the exhaust gas captured by pure water 33 in the bubbler 3.例文帳に追加

半導体基板の製造装置１は半導体基板（ウェーハ）Ｗにエピタキシャル層を成長させるＣＶＤ炉２、その排気ガスの排出用配管２３の途中から分岐して設けられた排気ガスのバブリング装置３、バブリング装置３の純水３３に捕捉された排気ガス中の金属を分析する分析装置４とから構成される。 - 特許庁

The holder 20 for growing mushroom attached to the bottle port 13 of a mushroom cultivation bottle 10 has a short cylindrical ring member 21 as a holder body, a plurality of projections 22 provided on the internal circumferential wall of the ring member and a pair of flange-shaped projecting parts 23 and 24 projectedly disposed from the external circumferential wall of both the ends of the ring member.例文帳に追加

キノコ栽培瓶１０の瓶口部１３に装着されるキノコ生育用ホルダー２０は、ホルダー本体部としての短円筒状リング部材２１と、リング部材の内周壁に設けられた複数の突起２２と、リング部材の両端部においてその外周壁から突設された一対の鍔状凸部２３，２４とを備える。 - 特許庁

To provide a novel method for producing a diamond single crystal which is a method for growing a diamond single crystal by a vapor-phase synthesis process and by which a very-low-impurity-content high-quality diamond single crystal having a regular growth face can be produced relatively simply and which is effectively used as a synthesis method for a large-size diamond single crystal.例文帳に追加

気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a porous substrate used as a base substrate for growing GaN crystals, which enables epitaxial growth of GaN single crystals through a conventional crystal-growth process but with a smaller defect density than that of a conventional one, a substrate onto which a GaN semiconductor is mounted and their manufacturing processes.例文帳に追加

従来の結晶成長方法がそのまま適用可能で、かつ従来よりも大幅に欠陥密度の少ないＧａＮ単結晶のエピタキシャル成長を可能とするＧａＮ結晶成長用下地基板としての多孔質基板とその製造方法、ＧａＮ系半導体積層基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for growing the group III nitride single crystal 3 at the inside of a crystal growth vessel 11, a porous body formed from a metal carbide and having a porosity of 0.1-70% is used in at least a part of the crystal growth vessel 11.例文帳に追加

結晶成長容器１１の内部でＩＩＩ族窒化物単結晶３を成長させる方法であって、結晶成長容器１１の少なくとも一部に、金属炭化物で形成されている気孔率が０．１％以上７０％以下の多孔質体を用いることを特徴とするＩＩＩ族窒化物単結晶の成長方法。 - 特許庁

A material containing γ-polyglutamic acid (γ-PGA, H isomer) and/or its salt, γ-polyglutamate hydrogel, a fermentation broth containing γ-PGA, its salt and/or γ-polyglutamate hydrogel or their mixture is applied to a field crop, plant or seed or a field for growing a field crop, plant or seed.例文帳に追加

γ−ポリグルタミン酸（「γ−ＰＧＡ」、Ｈ体）及び／又はその塩、γ−ポリグルタメートヒドロゲル、γ−ＰＧＡ、その塩及び／又はγ−ポリグルタメートヒドロゲルを含む発酵ブロス、又はそれらの混合物を含有する材料を、農作物、植物又は種子、あるいは農作物、植物又は種子を成長させる圃場に適用する。 - 特許庁

This water-absorbing and holding agent for growing the plants is characterized by comprising a material which releases larger amounts of water in response to the changes of a relative humidity than that when a humidity is lower than a humidity range of 30 to 100% required for the growth of plants 10, and adsorbs and holds the water with chemical bonds.例文帳に追加

植物１０が生育のために水分を要求する湿度領域である湿度３０〜１００％の範囲内において、該湿度領域よりも低い湿度のときよりも相対湿度の変化に対する放出水分量が大きく、かつ、化学的な結合によって吸着することで水分を保持する材料で植物生成用吸水保持剤を構成する。 - 特許庁

In the method for growing the group III nitride crystal from a solution in which at least an alkali metal, a group III metal raw material and nitrogen are dissolved, the group III nitride crystal 29 is grown by incorporating a substance for increasing the growth speed in the direction parallel to the c-axis of the group III nitride crystal higher than that in the direction perpendicular to the c-axis into the solution.例文帳に追加

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素とが溶解した溶液からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、前記溶液に、ＩＩＩ族窒化物結晶のｃ軸に平行な方向の成長速度をｃ軸に垂直な方向の成長速度よりも速くさせる物質を含ませて、ＩＩＩ族窒化物結晶２９を成長させる。 - 特許庁

The method using an apparatus for growing the biopolymer crystal by a vapor diffusion process comprises holding a biopolymer-containing solution 11 in the void of a substrate 26 by surface tension, applying an alternating electric field to the above solution by a pair of electrodes 31 located near th void of the substrate to induce an induced dipole into the biopolymer so as to move in the solution, and thus promoting the formation of the crystal nucleus.例文帳に追加

生体高分子を蒸気拡散法によって結晶成長させる装置において、生体高分子を含有する溶液１１を表面張力により基板２６の間隙に保持し、その基板の間隙近傍に位置して対を成す電極３１によって、間隙に保持された溶液に対して交流電場を印加することで、生体高分子に誘起双極子を誘起して溶液中を移動させ、結晶核の形成を促進する。 - 特許庁

Taking into account that companies’ information disclosure is supported by third parties (Nomad199) in the Alternative Investment Market (AIM) of the United Kingdom, quick and easy financing for growing companies must be made possible in the new stock markets of Japan by developing the framework for the market for professionals as described earlier in an effort to facilitate and support venture businesses in their information disclosure.例文帳に追加

ベンチャー企業の情報開示を促し支援していくためには、英国AIMにおいては第三者（Nomad）が企業の情報開示について支援していることに留意しつつ、新興市場についても、前述のようなプロ向け市場の枠組を整備することにより、成長企業の資金調達を迅速かつ容易に行うことを可能としていく必要がある。 - 経済産業省

This fruit or vegetable hydroponic method for growing fruits or vegetables in a potassium-containing culture solution includes using a standard culture solution containing potassium at standard concentration in a period before a reproductive growth period, and using after a reproductive growth period, a potassium culture solution having a potassium concentration less than the standard concentration without deficiency of potassium in the culture solution so as to decrease the rate of potassium content of fruits or vegetables.例文帳に追加

本発明は、カリウムを含有した培養液によって果実又は野菜を養液栽培する果実又は野菜の養液栽培方法において、生殖成長期よりも前の時期にはカリウムが標準濃度で含有された標準培養液を用いるとともに、生殖成長期以降には培養液中におけるカリウムを欠除させること無く上記標準濃度よりもカリウム濃度を低下させたカリウム低下培養液を用いることにより、果実又は野菜のカリウム含有率を低下させる。 - 特許庁

The apparatus for producing the carbon nanotube aligned aggregate including a growing furnace 3a for growing the carbon nanotube aligned aggregate by supplying a material gas on a catalytic substrate 10 and the exhaust pipe 23 for exhausting the gas in the furnace 3a is equipped with reaction gas injection parts 16 and 17 for injecting the reaction gas to reduce the carbon solid material attached in the exhaust pipe 23 by causing the chemical reaction with the material gas.例文帳に追加

触媒基板１０上に原料ガスを供給してカーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長炉３ａと、成長炉３ａ内のガスを排気する排気管２３と、を備えるカーボンナノチューブ配向集合体の製造装置において、前記原料ガスと化学反応を起こすことで前記排気管内２３に付着する炭素固形物を低減する反応ガスを噴射する反応ガス噴射部１６、１７を備えている。 - 特許庁

A greening device in which a vegetation base for growing a plant is filled and having multiple surfaces includes: a unit forming at least one of the multiple surfaces of the greening device having a vegetation surface where plants are planted in advance and the vegetation base filled therein; a connected body connectable with the unit for forming surfaces other than the surfaces where the unit is provided; and a connecting member for connecting the unit with the connected body.例文帳に追加

植物を生育する植生基盤が充填され、多面を有する緑化装置であって、前記緑化装置の多面のうちの少なくとも一面を形成するユニットであって、植物が予め植えられた植生面を有し、かつ、内部に前記植生基盤が充填されたユニットと、前記ユニットと接続自在であり、かつ、該ユニットが設けられる面以外の面を形成する連結体と、前記ユニットと、前記連結体とを接続する接続部材と、を備える。 - 特許庁

The factory environment purifying system includes a power generation portion 2 generating electric power using discharged air discharged from factory facilities 100, a vegetation portion 5 letting plants arranged in a factory absorb odor and carbon dioxide discharged from the factory facilities 100, an illumination portion 4 lighting Light Emitting Diode to supply light for growing and maintaining the plants, and an electric power supplying portion 3 supplying electric power generated in the power generation portion 2 to the illumination portion 4.例文帳に追加

工場設備１００から排出される排風を利用して発電する発電部２と、工場内に配置される植物に工場設備１００から排出される臭気及び二酸化炭素を吸収させる植生部５と、発光ダイオードを点灯させて植物を生育維持するための光を供給する照光部４と、発電部２において発電した電力を照光部４に供給する電力供給部３とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon epitaxial wafer where a silicon homoepitaxial layer is grown on a surface of a silicon single crystal wafer includes, at least, a step for preparing a silicon single crystal wafer having a plane direction determined by inclining the (110) plane in the <112> direction in a range of 0.1-8°, and a step for growing a silicon homoepitaxial layer on the surface of the silicon single crystal wafer thus prepared.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、（１１０）面を＜１１２＞方向に０．１°以上、８°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハを準備する工程と、該準備したシリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させる工程とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

The apparatus is equipped with a crucible which is for melting a semiconductor material and has a capillary part having a strip-like slit opening upward, a mechanism for supplying a semiconductor melt to the capillary part, and a support for growing a semiconductor crystal by its movement in a direction substantially perpendicular to the direction of the slit while being in contact with the semiconductor melt supplied to the upper part of the capillary.例文帳に追加

本発明の結晶シート製造装置は、上向きに開口した帯状スリットを有するキャピラリー部を備えた、半導体材料を溶融するためのるつぼと、該キャピラリー部に該半導体融液を供給するための機構と、該キャピラリー部の上方に供給された該半導体融液と接触しつつ、該キャピラリー部の帯状スリット方向と略直交する方向に移動することにより半導体結晶を成長させる支持体とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method for growing an indium nitride-containing semiconductor layer comprises the steps of: forming indium hydride by causing hydrogen atoms resulting from the decomposition by plasma to react with an indium source including indium metal or indium-containing compound; forming nitrogen atoms by decomposing nitrogen with plasma; and forming an indium nitride-containing semiconductor layer on a substrate by causing the indium hydride and the nitrogen atoms to react with each other.例文帳に追加

本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing single crystal by FZ method, capable of avoiding risk of high-place work which becomes higher as crystal becomes heavier and longer, cleaning single crystal-growing atmosphere and working environment, improving problem on the apparatus by shortening idling time to ensure safety of worker and capable of improving reliability of operation and improving labor saving and productivity.例文帳に追加

ＦＺ法単結晶育成装置において、結晶の高重量化、長尺化に伴って生じる高所作業の危険性を回避し、単結晶育成雰囲気および作業環境を清浄化し、アイドリング時間を短縮するため、装置上の問題点を改善して作業者の安全性を確保し、かつ作業の確実性を向上させ、省力化と生産性の改善を図ることのできるＦＺ法単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁

LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, INTEGRATED LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, METHOD OF GROWING NITRIDE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SUBSTRATE FOR GROWING NTRIDE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, LUMINOUS-SOURCE CELL UNIT, BACKLIGHT, LIGHTING DEVICE AND DISPLAY FOR LIGHT-EMITTING DIODE, ELECTRONIC APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法 - 特許庁

A silicon single crystal is grown by a Czochralski method using an apparatus for growing the silicon single crystal, which comprises a chamber, a crucible provided in the chamber to receive a silicon molten liquid, a heater being provided beside the crucible for heating the silicon molten liquid and having a maximum exothermic section existing at a specified position in the crucible and a pulling mechanism to pull the growing silicon single crystal from the silicon molten liquid.例文帳に追加

チャンバーと，前記チャンバーの内部に設けられ，シリコン融液を受容する坩堝と，前記坩堝の側方に設けられ，前記シリコン融液を加熱し，前記坩堝内の特定位置で発熱量が最大である最大発熱部位が形成されたヒータと，前記シリコン融液から成長されるシリコン単結晶を引上げる引上機構と，を含むチョクラルスキ法によるシリコン単結晶成長装置を使用し、シリコン単結晶を成長させる。 - 特許庁

The method includes steps of: preparing a substrate 31 for growing GaN; forming a GaN epitaxial layer on the substrate 31; forming a mask 33 on the GaN epitaxial layer 32 so as to expose a part of the upper face of the GaN epitaxial layer 32; and overgrowing GaN to predetermined thickness on the GaN epitaxial layer including the mask 33 by doping with a predetermined amount of In.例文帳に追加

本発明は、ＧａＮを成長させるための基板３１を用意する段階と、上記基板３１上にＧａＮエピ層３２を形成する段階と、上記ＧａＮエピ層３２上に上記ＧａＮエピ層３２の上面の一部が露出するようマスク３３を形成する段階と、上記マスク３３を含むＧａＮエピ層３２上に所定量のＩｎをドーピングしてＧａＮを所定の厚さに再成長させる段階とを含むことを特徴とするＩｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法を提供する。 - 特許庁

The composition for growing laver and marine life contains adenine, thymine, guanine, cytosine, uracil, proline, sodium glutamate, inosinic acid, photosynthetic bacteria, chlorophyll, molasses, glucose, adenosine, quick lime, inorganic phosphates and one or more iron compounds selected from ferric citrate, ferric ammonium citrate, ferrous oxalate, ferric ammonium oxalate and water-soluble inorganic iron salts.例文帳に追加

海苔及び海洋生物を育成するための組成物であって、該組成物がアデニン、チミン、グアニン、シトシン、ウラシル、プロリン、グルタミン酸ナトリウム、イノシン酸、光合成細菌、クロロフィル、糖蜜、ブドウ糖、アデノシン、生石灰及び無機リン酸類を含み、且つ、クエン酸鉄（III）、クエン酸鉄（III）アンモニウム、シュウ酸鉄（II）、シュウ酸鉄（III）アンモニウム、水溶性無機鉄塩から選ばれた少なくとも１種の鉄化合物を含有してなることを特徴とする海苔及び海洋生物育成用組成物。 - 特許庁

The partitioning frame body comprises a block forming part for inserting or forming a block, and greening part for growing plants; and a top surface of the greening part is covered with a lid part with a plurality of through-holes.例文帳に追加

本発明は、ブロックを挿入あるいは形成するためのブロック形成部と植物を育成するための緑化部を有し、前記緑化部の上面は複数の透孔を有する蓋部で覆われた区画枠体を敷き設してなされるブロック舗装方法において、前記区画枠体の裏面を写し取る裏面写取型を用いて区画枠体の裏面に相当する裏面体を緑化部に用いる土壌で形成し、前記裏面体上に区画枠体を敷き設しながら行う区画枠体の敷き設方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon carbide single crystal includes a process for bringing a silicon carbide single crystal substrate 25 into contact with a lithium flux 23 in which silicon dissolved in a pressure vessel, and a process for growing a 2H silicon carbide single crystal 27 on the single crystal substrate 25 from the lithium flux 23 by introducing methane 26 into the pressure vessel and bringing the methane 26 into contact with the lithium flux 23.例文帳に追加

圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 - 特許庁

The inventive method comprises a step for forming a platinum alloy film of arbitrary shape and thickness on a nonmagnetic garnet single crystal substrate 1, and a step for growing a magnetic garnet single crystal film 3 on the nonmagnetic garnet single crystal substrate 1 by bringing a magnetic garnet material liquid containing lead oxide as flux into contact with the nonmagnetic garnet single crystal substrate 1 and removing platinum or platinum alloy therefrom by means of the flux.例文帳に追加

非磁性ガーネット単結晶基板１上に、白金または白金合金の膜を任意の形状および厚さに形成する工程と、融剤として酸化鉛を含有する磁性ガーネット原料融液と前記非磁性ガーネット単結晶基板１を接触させ、この非磁性ガーネット単結晶基板１上の白金または白金合金を融剤によって除去しながら、非磁性ガーネット単結晶基板１上に磁性ガーネット単結晶膜３を育成する工程とを備える。 - 特許庁