「"split-gate"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲートフラッシュメモリデバイスの製造方法 - 特許庁

SPLIT GATE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スプリットゲートメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁

SPLIT-GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

スプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スプリットゲート型メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁

SPLIT-GATE NONVOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スプリットゲート型不揮発性メモリとその製造方法 - 特許庁

SPLIT GATE DRIVING SYSTEM FOR IMPROVING RELIABILITY OF VOLTAGE OPERATION RANGE例文帳に追加

電圧作動範囲の信頼性を改善するためのスプリットゲート駆動方式 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE例文帳に追加

分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁

SPLIT-GATE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

スプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置とその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR INTEGRATING SIDE WALL SPLIT GATE FLASH TRANSISTOR例文帳に追加

サイドウオ—ルスプリットゲ—トフラッシュトランジスタの集積方法 - 特許庁

A split gate is composed of the first and second gates 204, 210a.例文帳に追加

スプリットゲートは、第１ゲート(204)及び第２のゲート(210a)によって構成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a split-gate semiconductor memory device.例文帳に追加

スプリットゲート型半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a split gate type flash memory device.例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a split-gate nonvolatile memory device.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性メモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

SPLIT GATE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート不揮発性メモリ装置及びそれの形成方法 - 特許庁

SPLIT-GATE NONVOLATILE STORAGE UNIT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スプリットゲート型不揮発性記憶装置及びその製造方法 - 特許庁

SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To obtain a split-gate type memory cell having superior erasure characteristics.例文帳に追加

消去特性の優れたスプリットゲート型メモリセルを提供する。 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁

SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

COMBINED SELF-ALIGNED SOURCE AND ONO CAPACITOR FOR SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加

スプリット・ゲート不揮発性メモリ用の組み合わされた自己整合ソースおよびＯＮＯキャパシタ - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が第１伝導型の半導体基板の上に形成される。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が、第１伝導型の半導体基板上に形成される。 - 特許庁

SELF ALIGNED SPLIT GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

自己整列スプリットゲート型の不揮発性半導体メモリ素子、及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS例文帳に追加

スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁

To improve the information holding characteristics of a split gate type memory cell adopting a MONOS system.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ方式を採用するスプリットゲート型メモリセルの情報保持特性を向上させる。 - 特許庁

To comprehend the electric characteristics of a split gate type non-volatile semiconductor memory with high precision.例文帳に追加

高い精度でスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置の電気的特性を把握する。 - 特許庁

SPLIT GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SAME例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性の半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a highly integrated split gate type nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

高集積化されたスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory cell having a split-gate structure.例文帳に追加

分離ゲート構造を有するフラッシュメモリセルの製造方法を提供する - 特許庁

To provide a split gate-type nonvolatile semiconductor memory device and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性の半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a split gate type flash memory and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a split-gate type flash memory element and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING AND OPERATING TRENCH SPLIT GATE NONVOLATILE FLASH MEMORY例文帳に追加

トレンチスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル構造を形成、および操作する方法 - 特許庁

To provide a split gate type memory device having a structure agreeing with cell condensation, and to provide a method of manufacturing split gate type memory device by which the problem of erroneous alignment caused by photolithography can be eliminated.例文帳に追加

セル縮少に適合した構造を有するスプリットゲート型メモリ素子と、フォトリソグラフィによる誤整列問題のないスプリットゲート型メモリ素子の製造方法とを提供する。 - 特許庁

Phosphorus is diffused selectively into the polysilicon layer 12 as a whole, in a region for the formation of a split gate type flash EEPROM cell (MC).例文帳に追加

そして、スプリットゲート型フラッシュEEPROMセル（ＭＣ）の形成領域における、ポリシリコン層１２の全体に選択的にリンを拡散する。 - 特許庁

BIDIRECTIONAL SPLIT GATE NAND FLASH MEMORY STRUCTURE, ARRAY, PROGRAMMING METHOD OF THE SAME, ERASING METHOD, READOUT METHOD AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

双方向分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造及びアレイ、そのプログラミング方法、消去方法及び読み出し方法、並びに、製造方法 - 特許庁

SPLIT GATE NAND FLASH MEMORY STRUCTURE AND ARRAY, PROGRAMMING METHOD OF THE SAME, ERASURE METHOD AND READOUT METHOD, AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造及びアレイ、そのプログラミング方法、消去方法及び読み出し方法、並びに、製造方法 - 特許庁

At this point, the split gate electrode 30a is connected to a gate wiring 35 through the intermediary of a thin film resistor 33 of CrSi.例文帳に追加

この分割ゲート電極３０ａは、ＣｒＳｉ膜からなる薄膜抵抗体３３を介してゲート配線３５に接続される。 - 特許庁