「ぱたり」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

シートプラズマ先端利用高密度スパタリング例文帳に追加

HIGH-DENSITY SPUTTERING UTILIZING FRONT END OF SHEET PLASMA - 特許庁

スッパタリング用タングステンターゲット及びその製造方法例文帳に追加

TUNGSTEN TARGET FOR SPUTTERING AND ITS PRODUCING METHOD - 特許庁

スパッタリングターゲットの製造方法及びスパタリングターゲット例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET - 特許庁

スッパタリング用タングステン焼結体ターゲット及びその製造方法例文帳に追加

TUNGSTEN SINTERED COMPACT TARGET FOR SPUTTERING, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

スッパタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING TUNGSTEN SINTERED COMPACT TARGET FOR SPUTTERING - 特許庁

また、窒素プラズマの照射は銅薄膜のスッパタリング成膜と同時に行うこともできる。例文帳に追加

Irradiation with the nitrogen plasma can be performed simultaneously with the sputter film formation. - 特許庁

しかる後この窒化珪素変質層の上に銅薄膜をスッパタリング成膜する。例文帳に追加

Thereafter, a thin copper film is formed on the silicon nitride layer by sputtering. - 特許庁

化学蒸着法やスパタリング法の成膜速度領域で、有機物を連続的に気化させ、熱可塑性支持体上に連続的に有機被覆物層を安定して形成できる積層体の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a laminate by which an organic coating material layer can be formed continuously and stably on a thermoplastic support by vaporizing an organic matter consecutively, in a film forming velocity range of a chemical vapor deposition process or a sputtering process. - 特許庁

広幅巻尺の末端を鉄筋に巻いたり、人の手で引っ張たりしていたが、末端をクリップで固定することで、記録が綺麗に取れるようにした広幅巻尺末端クリップを提供する。例文帳に追加

To provide an end clip for a wide measure assuring fine taking of records by fixing the end with this clip, compared with the conventional tech nique in which the end of a wide measure is wound on a reinforcing steel bar or pulled by hand. - 特許庁

銅薄膜のスッパタリング成膜工程に先だって、酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に窒素プラズマを照射して、表面にＳｉＯ_2 とＳｉＮ_x とが混在した窒化珪素変質層を形成する。例文帳に追加

Prior to a sputtered thin copper film forming step, a modified- property silicon nitride layer containing SiO2 and SiNX in a mixed state in its surface is formed on the surface of a silicon oxide-based glass substrate, a quartz substrate, or a silicon thin film by irradiating the surface with nitrogen plasma. - 特許庁

グルーブパターンを有する基板上に、磁壁移動層が表面側になるような積層順で磁性膜を積層し、この磁性膜表面を、基板に垂直な方向から入射する加速イオンによってスパッタエッチングし、スパタリング率のイオン入射角依存性を利用してグルーブ側部の磁壁移動層を選択的にエッチング除去する。例文帳に追加

On a substrate having a group pattern, magnetic films are laminated in such a laminating order as a magnetic wall movement layer comes on the front side, and this magnetic film surface is etched by sputtering accelerated ions made incident thereto from the direction perpendicular to the substrate, and the magnetic wall movement layer on the group side is selectively etched and removed by making use of ionic incident angle dependency of a sputtering rate. - 特許庁